Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур

Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур

Раздел находится в стадии актуализации

Представлены результаты комплексного исследования параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti с помощью методов относительной рентгеновской рефлектометрии и диффузного рассеяния рентгеновского излучения, реализованных на базе двухволновой рентгенооптической схемы измерений. Показано, что данная схема в рамках одного измерения обеспечивает исследование двух различных областей диффузного рассеяния, что повышает корректность и однозначность проведенного анализа. Рассмотренный комплекс методов позволяет разрешить неоднозначность типа плотность/шероховатость при решении обратной задачи рефлектометрии и рассчитать параметры скрытых слоев в исследованных структурах.
Смирнов Дмитрий Игоревич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Герасименко Николай Николаевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; Национальный исследовательский Томский государственный университет
Овчинников Владимир Владимирович
Институт электрофизики Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru