Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. Описаны ключевые параметры, влияющие на технологический процесс, и указаны допустимые отклонения данных параметров от номинала.
1. Guo L., DeWeerth S.P. An effective lift-off method for patterning high-density gold in-terconnects on an elastomeric substrate // NIHPA Author Manuscripts PMC3272486. URL: http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3272486/pdf/nihms349289.pdf (дата обращения: 20.02.2015).
2. The AZ 5214E resist in EBDW lithography and its use as a RIE etch mask in etching thin AG layers in N2 plasma / R. Andok, A. Bencurova, P. Hrkut et al. // J. of Electrical Engineering. 2013. Vol. 64. N. 6. Р. 371–375.
3. Attaran A., Chowdhury S. Fabrication of a 77 GHz Rotman lens on a high resistivity sili-con wafer using lift-off process // International J. of Antennas and Propagation. URL: http://downloads.hindawi.com/journals/ijap/2014/471935.pdf (дата обращения: 20.02.2015).
4. Моро У. Микролитография. М.: Мир, 1990. С. 754783.