Публикации журнала

Раздел находится в стадии актуализации

Статьи

  • В зависимости от выбора технологии получения пленок CuIn  Ga Seнаблюдается разброс электрофизических и фотоэлектрических параметров фотопреобразователей, что связано в первую очередь с формируемой в пленках микроструктурой и их фазовым составом. Изуч...

Авторы: Гаджиев Тимур Мажлумович , Алиев Марат Алиевич , Асваров Абил Шамсудинович , Гаджиева Риза Магомедовна , Билалов Билал Аругович , Исмаилов Абубакар Магомедович , Шомахов Замир Валериевич
107 - 117
  • Технология изготовления функциональной гетероструктуры на основе GaN дает возможность выращивать слои GaN и In  Ga N n -типа и слои GaN и Al  Ga N р -типа. Если с получением слоев n -типа особых технологических проблем в настоящее время не существует...

Авторы: Вигдорович Евгений Наумович
118 - 128
  • Использование хлоридных электролитов для электрохимического осаждения пермаллоя NiFe перспективно, так как сульфатные электролиты при наличии серы являются нестабильными. Магнитные параметры пленок сплава NiFe очень чувствительны к отклонению состава...

Авторы: Тихонов Роберт Дмитриевич , Поломошнов Сергей Александрович , Костюк Дмитрий Валентинович
129 - 136
  • Для дальнейшего увеличения эффективности и быстродействия полевых транзисторов возможно применение полупроводниковых двумерных кристаллов. Такие транзисторы лишены некоторых отрицательных эффектов, проявляющихся в традиционных МОП-транзисторах при ум...

Авторы: Маковская Татьяна Ивановна , Данилюк Александр Леонидович , Кривошеева Анна Владимировна , Шапошников Виктор Львович , Борисенко Виктор Евгеньевич
137 - 150
  • При разработке радиоизотопных источников электрического питания длительного срока службы для различных применений (в космической отрасли, медицине, нано- и микросистемной технике, криптографии и телекоммуникациях) одним из важных вопросов явл...

Авторы: Новиков Сергей Геннадьевич , Беринцев Алексей Валентинович , Алексеев Александр Сергеевич , Сомов Андрей Ильич , Светухин Вячеслав Викторович
151 - 159
  • Современные микроэлектронные устройства, в основе архитектуры которых лежат слоистые спин-вентильные структуры, отличаются малым энергопотреблением, высокой надежностью и широким температурным диапазоном. Изучение динамических режимов спинового венти...

Авторы: Юсипова Юлия Александровна
160 - 173
  • Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от -60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температ...

Авторы: Петросянц Константин Орестович , Исмаил-Заде Мамед Рашидович , Самбурский Лев Михайлович
174 - 184
  • Процесс проектирования бортовой космической радиоаппаратуры обязательно включает этап схемотехнического моделирования электронной части аппаратуры. При этом возникает проблема разработки математических моделей электронной компонентной базы специально...

Авторы: Озеркин Денис Витальевич , Бабешко Владислав Вадимович
185 - 196
  • Проектирование эффективных двоичных сумматоров - актуальная задача, от решения которой зависит производительность действующих устройств. В настоящее время параллельно-префиксная структура сумматора считается эффективной для выполнения операции сложен...

Авторы: Якунин Алексей Николаевич , Аунг Мьо Сан
197 - 207

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru