Зависимость морфологии поверхности и структуры пленок CuInGaSe от температуры селенизации

Зависимость морфологии поверхности и структуры пленок CuInGaSe от температуры селенизации

Раздел находится в стадии актуализации

В зависимости от выбора технологии получения пленок CuIn  Ga Seнаблюдается разброс электрофизических и фотоэлектрических параметров фотопреобразователей, что связано в первую очередь с формируемой в пленках микроструктурой и их фазовым составом. Изучение процессов разделения фаз и формирования однофазной пленки CuIn  Ga Seявляется ключевым моментом при изготовлении высококачественных поглощающих слоев. В работе тонкие пленки CuInGaSe получены методом двухэтапной селенизации в температурном интервале 350 ≤ T ≤ 550 °C предварительно синтезированных медно-индий-галлиевых слоев различной толщины. Исследованы морфология поверхности, химический состав и структура синтезированных пленок CuInGaSe с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской порошковой дифракции, рентгеновской флуоресценции. Установлено, что синтезированные пленки являются поликристаллическими, имеют развитую поверхность и средний размер кристаллитов 50-140 нм. На основании проведенного статистического анализа данных электронной микроскопии определены минимальная температура начала процесса селенизации и минимально необходимая толщина металлического слоя для формирования сплошной тонкой пленки CuInGaSe. Полученные пленки могут использоваться в качестве активного фоточувствительного слоя высокоэффективных преобразователей солнечного излучения.
Гаджиев Тимур Мажлумович
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, г. Махачкала, Россия
Алиев Марат Алиевич
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Россий-ской академии наук, г. Махачкала, Россия
Асваров Абил Шамсудинович
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Россий-ской академии наук, г. Махачкала, Россия
Гаджиева Риза Магомедовна
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Россий-ской академии наук, г. Махачкала, Россия
Билалов Билал Аругович
Дагестанский государственный технический университет, г. Махачкала, Россия
Исмаилов Абубакар Магомедович
Дагестанский государственный университет, г. Махачкала, Россия
Шомахов Замир Валериевич
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова; Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru