Персоналии

В зависимости от выбора технологии получения пленок CuIn  Ga Seнаблюдается разброс электрофизических и фотоэлектрических параметров фотопреобразователей, что связано в первую очередь с формируемой в пленках микроструктурой и их фазовым составом. Изучение процессов разделения фаз и формирования однофазной пленки CuIn  Ga Seявляется ключевым моментом при изготовлении высококачественных поглощающих слоев. В работе тонкие пленки CuInGaSe получены методом двухэтапной селенизации в температурном интервале 350 ≤ T ≤ 550 °C предварительно синтезированных медно-индий-галлиевых слоев различной толщины. Исследованы морфология поверхности, химический состав и структура синтезированных пленок CuInGaSe с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской порошковой дифракции, рентгеновской флуоресценции. Установлено, что синтезированные пленки являются поликристаллическими, имеют развитую поверхность и средний размер кристаллитов 50-140 нм. На основании проведенного статистического анализа данных электронной микроскопии определены минимальная температура начала процесса селенизации и минимально необходимая толщина металлического слоя для формирования сплошной тонкой пленки CuInGaSe. Полученные пленки могут использоваться в качестве активного фоточувствительного слоя высокоэффективных преобразователей солнечного излучения.

• Просмотров: 2038 | Комментариев : 0