Персоналии
Статьи автора
- Просмотров: 45 | Комментариев : 0
- Просмотров: 302 | Комментариев : 0
Для детектирования оптического излучения малой интенсивности все чаще используются многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители». Однако не все характеристики этих фотоприемников достаточно хорошо изучены, например отсутствуют сведения о влиянии напряжения питания на динамический диапазон. В работе для изучения динамического диапазона в качестве объектов исследования использованы опытные образцы кремниевых фотоэлектронных умножителей с p - p - n -структурой производства ОАО «Интеграл» (Беларусь), а также серийно выпускаемые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что рост напряжения питания ведет к уменьшению критической и пороговой интенсивностей. Показано, что зависимость динамического диапазона от напряжения питания имеет максимум. В фотоприемных устройствах на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей для обеспечения максимального динамического диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.
- Просмотров: 654 | Комментариев : 0
При реализации такой технологии передачи данных, как Li-Fi, требуются фотоприемники, чувствительные к оптическому излучению в видимом диапазоне длин волн. Лучшую чувствительность в этом диапазоне длин волн проявляют вакуумные фотоэлектронные умножители. Однако они имеют большие габариты, высокие напряжения питания и являются достаточно хрупкими. Альтернатива вакуумным фотоэлектронным умножителям - кремниевые фотоэлектронные умножители (Si-ФЭУ), характеризующиеся хорошей чувствительностью в видимом диапазоне длин волн. В работе исследована пропускная способность оптического канала связи с приемником информации в виде Si-ФЭУ. Получено, что наибольшее значение пропускной способности соответствует значению напряжения питания, равному напряжению пробоя Si-ФЭУ и длине волны оптического излучения 470 нм. Установлено, что повышение температуры приводит к уменьшению пропускной способности фотоприемника, а увеличение энергетической экспозиции оптических импульсов - к росту пропускной способности. Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптических систем связи.
- Просмотров: 457 | Комментариев : 0