При реализации такой технологии передачи данных, как Li-Fi, требуются фотоприемники, чувствительные к оптическому излучению в видимом диапазоне длин волн. Лучшую чувствительность в этом диапазоне длин волн проявляют вакуумные фотоэлектронные умножители. Однако они имеют большие габариты, высокие напряжения питания и являются достаточно хрупкими. Альтернатива вакуумным фотоэлектронным умножителям - кремниевые фотоэлектронные умножители (Si-ФЭУ), характеризующиеся хорошей чувствительностью в видимом диапазоне длин волн. В работе исследована пропускная способность оптического канала связи с приемником информации в виде Si-ФЭУ. Получено, что наибольшее значение пропускной способности соответствует значению напряжения питания, равному напряжению пробоя Si-ФЭУ и длине волны оптического излучения 470 нм. Установлено, что повышение температуры приводит к уменьшению пропускной способности фотоприемника, а увеличение энергетической экспозиции оптических импульсов - к росту пропускной способности. Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптических систем связи.
1. Arya V., Priya P., Omanakuttan R., Baby S. LiFi: The future technology in wireless communication // International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and In-strumentation Engineering. 2015. Vol. 4. Iss. 4. P. 2340–2343.
2. Sarkar A., Agarwal S., Nath A. Li-Fi technology: Data transmission through visible light // International Journal of Advance Research in Computer Science and Management Stu-dies. 2015. Vol. 3. Iss. 6. P. 1–12.
3. Макаренко В. Технология LI-FI как альтернатива WI-FI // ЭКиС. 2020. № 1 (229). С. 46–51.
4. A comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / Н. T. van Dam, S. Seifert, R. Vinke et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254–2266. doi: https://doi.org/10.1109/TNS.2010.2053048
5. Modi M. N., Daie K., Turner G. C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon pho-tomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. Iss. 24. Р. 35830–35841. doi: https://doi.org/10.1364/OE.27.035830
6. Кремниевый фотоэлектронный умножитель: новые возможности / С. Клемин, Ю. Кузнецов, Л. Филатов и др. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 8 (82). С. 80–86.
7. Sadygov Z., Sadygov A., Khorev S. Silicon photomultipliers: status and prospects // Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра. 2020. Т. 17. № 2 (227). С. 132.
8. Пат. 2650417 РФ. Полупроводниковый лавинный фотоприемник / З. Я. Садыгов, А. З. Садыгов. Заявл.: 25.04.2017; опубл.: 13.04.2018, Бюл. № 11. 9 с.
9. Технология изготовления микропиксельных лавинных фотодиодов и компактной матрицы на их основе / З. Садыгов, А. Ариффин, Ф. Ахмедов и др. // Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра. 2014. Т. 10. № 7 (184). С. 1268–1273.
10. Шубин В. В. Информационная безопасность волоконно-оптических систем. Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2015. 258 с.
11. Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В. Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Успехи прикладной физики. 2021. Т. 9. № 2. С. 164–171.
12. Гулаков И. Р., Зеневич А. О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: ВГКС, 2012. 276 с.
13. Yao M., Shah G., Fang J. Highly sensitive and miniaturized fluorescence detection sys-tem with an autonomous capillary fluid manipulation chip // Micromachines. 2012. Vol. 3 (2). Р. 462–479. doi: https://doi.org/10.3390/mi3020462
14. Асаёнок М. А., Горбадей О. Ю., Зеневич А. О. Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. 2018. № 2 (112). С. 54–58.
15. Асаёнок М. А., Зеневич А. О., Кочергина О. В., Новиков Е. В. Исследование шу-мовых характеристик кремниевых фотоэлектронных умножителей при регистрации оптических импульсов // Проблемы инфокоммуникаций. 2020. № 2-2 (12). С. 41–46.