Для детектирования оптического излучения малой интенсивности все чаще используются многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители». Однако не все характеристики этих фотоприемников достаточно хорошо изучены, например отсутствуют сведения о влиянии напряжения питания на динамический диапазон. В работе для изучения динамического диапазона в качестве объектов исследования использованы опытные образцы кремниевых фотоэлектронных умножителей с p - p - n -структурой производства ОАО «Интеграл» (Беларусь), а также серийно выпускаемые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что рост напряжения питания ведет к уменьшению критической и пороговой интенсивностей. Показано, что зависимость динамического диапазона от напряжения питания имеет максимум. В фотоприемных устройствах на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей для обеспечения максимального динамического диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.
1. Stagliano M., Abegãob L., Chierici A., d’Erricoa F. Silicon photomultiplier current and prospective applications in biological and radiological photonics // EPH - International Journal of Science and Engineering. 2018. Vol. 4. No. 10. P. 10–29.
2. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.
3. ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и опреде-ления характеристик. М.: Изд-во стандартов, 1988. 64 с.
4. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О., Новиков Е.В., Сорока С.А. Влияние параметров оп-тического излучения на амплитудные характеристики кремниевых фотоэлектронных ум-ножителей // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2020. Т. 65. № 1. С. 104–109.
5. Comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / H.T. van Dam, S. Sei-fert, R. Vinke et al. // Тransactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254–2266.
6. Modi M.N., Daie K., Turner G.C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon pho-tomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. No. 24/25. Р. 35830–35841.
7. ГОСТ-21934-83. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1988. 37 с.
8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн. Кн. 2 / пер. с англ. 2-е изд. пе-рераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с.
9. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О. Исследование характеристик кремниевых фотоэлек-тронных умножителей // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 49–53.
10. Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. Коэффициент усиления кремниевого фотоэлектронного умножителя с низким напряжением питания // Проблемы инфокомму-никаций. 2017. №2(6). С. 82–86