For detecting the low-intensity optical radiation the silicon photoelectronic multiplyers are used more often. However, not all characteristics of these photoelectronic multiplyers have been thoroughly studied. So, there is no information about the influence of supply voltage on the value of the dynamic range. In the work as the study objects, the test specimens Si-PEM with a p - p - n structure, produced by JSC Integral (Republik of Belarus), have been used, as well as the serially produced silicon photomultiplyers Ketek PM 3325 and ON Semi FC 30035. It has been found that an increase in the supply voltage leads to the critical decrease. It has been discovered that an increase an in the supply voltage leads to a decreased value of the threshold intensity. It has been proved that the dependence of the dynamic range on the supply voltage has a maximum. To ensure the maximum dynamic range of registration in the photo-detector devices based on the Si-photomultiplier tubes, it is necessary to select the photo-detector supply voltage, corresponding to this maximum. The results obtained in this article can be applied in the development and design of the devices for recording the optical radiation based on silicon photomultiplier tubes.
1. Stagliano M., Abegãob L., Chierici A., d’Erricoa F. Silicon photomultiplier current and prospective applications in biological and radiological photonics // EPH - International Journal of Science and Engineering. 2018. Vol. 4. No. 10. P. 10–29.
2. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.
3. ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и опреде-ления характеристик. М.: Изд-во стандартов, 1988. 64 с.
4. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О., Новиков Е.В., Сорока С.А. Влияние параметров оп-тического излучения на амплитудные характеристики кремниевых фотоэлектронных ум-ножителей // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2020. Т. 65. № 1. С. 104–109.
5. Comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / H.T. van Dam, S. Sei-fert, R. Vinke et al. // Тransactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254–2266.
6. Modi M.N., Daie K., Turner G.C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon pho-tomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. No. 24/25. Р. 35830–35841.
7. ГОСТ-21934-83. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1988. 37 с.
8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн. Кн. 2 / пер. с англ. 2-е изд. пе-рераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с.
9. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О. Исследование характеристик кремниевых фотоэлек-тронных умножителей // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 49–53.
10. Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. Коэффициент усиления кремниевого фотоэлектронного умножителя с низким напряжением питания // Проблемы инфокомму-никаций. 2017. №2(6). С. 82–86