<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2021-26-1-30-39</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.383.292:546.28</article-id><article-categories><subj-group><subject>Элементы интегральной электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Investigation of Dynamic Range of Silicon Photoelectronic Multiplyers</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Исследование динамического диапазона кремниевых фотоэлектронных умножителей</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Зеневич Андрей Олегович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Зеневич</surname><given-names>Андрей Олегович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Zenevich</surname><given-names>Andrey O.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Andrey O. Zenevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Кочергина Ольга Викторовна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Кочергина</surname><given-names>Ольга Викторовна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kochergina</surname><given-names>Olga V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Olga V. Kochergina</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Белорусская государственная академия связи, г. Минск, Беларусь</aff></contrib-group><fpage>30</fpage><lpage>39</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/1-_2021/issledovanie_dinamicheskogo_diapazona_kremnievykh_fotoelektronnykh_umnozhiteley/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>For detecting the low-intensity optical radiation the silicon photoelectronic multiplyers are used more often. However, not all characteristics of these photoelectronic multiplyers have been thoroughly studied. So, there is no information about the influence of supply voltage on the value of the dynamic range. In the work as the study objects, the test specimens Si-PEM with a p - p - n structure, produced by JSC Integral (Republik of Belarus), have been used, as well as the serially produced silicon photomultiplyers Ketek PM 3325 and ON Semi FC 30035. It has been found that an increase in the supply voltage leads to the critical decrease. It has been discovered that an increase an in the supply voltage leads to a decreased value of the threshold intensity. It has been proved that the dependence of the dynamic range on the supply voltage has a maximum. To ensure the maximum dynamic range of registration in the photo-detector devices based on the Si-photomultiplier tubes, it is necessary to select the photo-detector supply voltage, corresponding to this maximum. The results obtained in this article can be applied in the development and design of the devices for recording the optical radiation based on silicon photomultiplier tubes.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Для детектирования оптического излучения малой интенсивности все чаще используются многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители». Однако не все характеристики этих фотоприемников достаточно хорошо изучены, например отсутствуют сведения о влиянии напряжения питания на динамический диапазон. В работе для изучения динамического диапазона в качестве объектов исследования использованы опытные образцы кремниевых фотоэлектронных умножителей с p - p - n -структурой производства ОАО «Интеграл» &amp;#40;Беларусь&amp;#41;, а также серийно выпускаемые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что рост напряжения питания ведет к уменьшению критической и пороговой интенсивностей. Показано, что зависимость динамического диапазона от напряжения питания имеет максимум. В фотоприемных устройствах на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей для обеспечения максимального динамического диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>кремниевый фотоэлектронный умножитель</kwd><kwd>динамический диапазон</kwd><kwd>критическая интенсивность</kwd><kwd>пороговая интенсивность</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Stagliano M., Abegãob L., Chierici A., d’Erricoa F. Silicon photomultiplier current and prospective applications in biological and radiological photonics // EPH - International Journal of Science and Engineering. 2018. Vol. 4. No. 10. P. 10–29.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и опреде-ления характеристик. М.: Изд-во стандартов, 1988. 64 с.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Асаёнок, М.А., Зеневич А.О., Новиков Е.В., Сорока С.А. Влияние параметров оп-тического излучения на амплитудные характеристики кремниевых фотоэлектронных ум-ножителей // Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2020. Т. 65. № 1. С. 104–109.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / H.T. van Dam, S. Sei-fert, R. Vinke et al. // Тransactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254–2266.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Modi M.N., Daie K., Turner G.C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon pho-tomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. No. 24/25. Р. 35830–35841.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ-21934-83. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1988. 37 с.</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн. Кн. 2 / пер. с англ. 2-е изд. пе-рераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Асаёнок, М.А., Зеневич А.О. Исследование характеристик кремниевых фотоэлек-тронных умножителей // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 49–53.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. Коэффициент усиления кремниевого фотоэлектронного умножителя с низким напряжением питания // Проблемы инфокомму-никаций. 2017. №2(6). С. 82–86</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
