Персоналии
Статьи автора
- Просмотров: 170 | Комментариев : 0
В настоящее время для численного моделирования случайных процессов используются генераторы случайных чисел двух типов. В основу работы генераторов первого типа положены алгоритмические методы генерации псевдослучайных числовых последовательностей. Однако такие генераторы не позволяют получать истинно случайных числовых последовательностей. Генераторы второго типа основаны на использовании физических источников шумовых или хаотических процессов и могут применяться для формирования истинно числовых последовательностей. В работе показана возможность создания перспективных генераторов случайных числовых последовательностей второго типа на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей с p - p-n - и n - n-p -структурой путем воздействия на эти фотоприемники импульсным оптическим излучением. Оценено влияние напряжения питания, параметров оптического излучения, а также параметров регистрирующей аппаратуры на качество генерируемой случайной последовательности. Сформулированы рекомендации по выбору значений энергетической экспозиции оптических импульсов, перенапряжения и порога амплитудной селекции, которые обеспечивают соответствие генерируемой случайной числовой последовательности стандарту NIST.
- Просмотров: 870 | Комментариев : 0
Для детектирования оптического излучения малой интенсивности все чаще используются многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители». Однако не все характеристики этих фотоприемников достаточно хорошо изучены, например отсутствуют сведения о влиянии напряжения питания на динамический диапазон. В работе для изучения динамического диапазона в качестве объектов исследования использованы опытные образцы кремниевых фотоэлектронных умножителей с p - p - n -структурой производства ОАО «Интеграл» (Беларусь), а также серийно выпускаемые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что рост напряжения питания ведет к уменьшению критической и пороговой интенсивностей. Показано, что зависимость динамического диапазона от напряжения питания имеет максимум. В фотоприемных устройствах на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей для обеспечения максимального динамического диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.
- Просмотров: 630 | Комментариев : 0
При реализации такой технологии передачи данных, как Li-Fi, требуются фотоприемники, чувствительные к оптическому излучению в видимом диапазоне длин волн. Лучшую чувствительность в этом диапазоне длин волн проявляют вакуумные фотоэлектронные умножители. Однако они имеют большие габариты, высокие напряжения питания и являются достаточно хрупкими. Альтернатива вакуумным фотоэлектронным умножителям - кремниевые фотоэлектронные умножители (Si-ФЭУ), характеризующиеся хорошей чувствительностью в видимом диапазоне длин волн. В работе исследована пропускная способность оптического канала связи с приемником информации в виде Si-ФЭУ. Получено, что наибольшее значение пропускной способности соответствует значению напряжения питания, равному напряжению пробоя Si-ФЭУ и длине волны оптического излучения 470 нм. Установлено, что повышение температуры приводит к уменьшению пропускной способности фотоприемника, а увеличение энергетической экспозиции оптических импульсов - к росту пропускной способности. Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптических систем связи.
- Просмотров: 434 | Комментариев : 0
Влияние на характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей напряжения питания и температуры изучено недостаточно. В работе исследовано влияние этих факторов на временные характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей. Представлена структурная схема экспериментальной установки, в которой источником оптического излучения является светодиод, а регистрацию фотооткликов обеспечивает специализированный аппаратно-программный комплекс. Приведены результаты исследований влияния напряжения питания и температуры на кинетику и амплитуду фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей, выполненных на n - n - p - и p - p - n -структурах, при импульсном возбуждении светом с длиной волны 630 нм. Установлено, что при воздействии на кремниевые фотоэлектронные умножители оптическими импульсами с одинаковой длительностью, длиной волны и энергетической экспозицией, при одинаковой температуре и одном и том же перенапряжении длительность фотоотклика больше для p - p - n -структур. Выявлена связь длительности фронта нарастания фотоотклика с коэффициентом усиления фототока и длительности участка релаксации импульса фотосигнала с последовательным сопротивлением кремниевых фотоэлектронных умножителей. Длительность фронта нарастания больше для кремниевых фотоэлектронных умножителей с более высоким значением коэффициента усиления фототока. Большую длительность спада имеют кремниевые фотоэлектронные умножители с большим значением последовательного сопротивления.
- Просмотров: 1203 | Комментариев : 0