Кинетика и амплитуда фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей

Влияние на характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей напряжения питания и температуры изучено недостаточно. В работе исследовано влияние этих факторов на временные характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей. Представлена структурная схема экспериментальной установки, в которой источником оптического излучения является светодиод, а регистрацию фотооткликов обеспечивает специализированный аппаратно-программный комплекс. Приведены результаты исследований влияния напряжения питания и температуры на кинетику и амплитуду фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей, выполненных на n - n - p - и p - p - n -структурах, при импульсном возбуждении светом с длиной волны 630 нм. Установлено, что при воздействии на кремниевые фотоэлектронные умножители оптическими импульсами с одинаковой длительностью, длиной волны и энергетической экспозицией, при одинаковой температуре и одном и том же перенапряжении длительность фотоотклика больше для p - p - n -структур. Выявлена связь длительности фронта нарастания фотоотклика с коэффициентом усиления фототока и длительности участка релаксации импульса фотосигнала с последовательным сопротивлением кремниевых фотоэлектронных умножителей. Длительность фронта нарастания больше для кремниевых фотоэлектронных умножителей с более высоким значением коэффициента усиления фототока. Большую длительность спада имеют кремниевые фотоэлектронные умножители с большим значением последовательного сопротивления.
Марина Анатольевна Асаёнок
Белорусская государственная академия связи, г. Минск, Беларусь
Андрей Олегович Зеневич
Белорусская государственная академия связи, г. Минск, Беларусь
Евгений Владимирович Новиков
Белорусская государственная академия связи
Поделиться