Влияние на характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей напряжения питания и температуры изучено недостаточно. В работе исследовано влияние этих факторов на временные характеристики фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей. Представлена структурная схема экспериментальной установки, в которой источником оптического излучения является светодиод, а регистрацию фотооткликов обеспечивает специализированный аппаратно-программный комплекс. Приведены результаты исследований влияния напряжения питания и температуры на кинетику и амплитуду фотоотклика кремниевых фотоэлектронных умножителей, выполненных на n - n - p - и p - p - n -структурах, при импульсном возбуждении светом с длиной волны 630 нм. Установлено, что при воздействии на кремниевые фотоэлектронные умножители оптическими импульсами с одинаковой длительностью, длиной волны и энергетической экспозицией, при одинаковой температуре и одном и том же перенапряжении длительность фотоотклика больше для p - p - n -структур. Выявлена связь длительности фронта нарастания фотоотклика с коэффициентом усиления фототока и длительности участка релаксации импульса фотосигнала с последовательным сопротивлением кремниевых фотоэлектронных умножителей. Длительность фронта нарастания больше для кремниевых фотоэлектронных умножителей с более высоким значением коэффициента усиления фототока. Большую длительность спада имеют кремниевые фотоэлектронные умножители с большим значением последовательного сопротивления.
1. Гасанов А.Г., Головин В.М., Садыгов З.Я., Юсипов Н.Ю. Лавинный фотоприемник // Патент СССР № 1702831, А1 6Н0131/06. 1989. Бюл. №18.
2. Гасанов А.Г., Головин В.М., Садыков З.Я., Юсипов Ю.Н. Лавинный фотоприемник на основе структур металл – резистивный слой – полупроводник // Письма в ЖЭТФ. – 1988. – Т. 14. – Вып. 8. – С. 706–709.
3. Гасанов А.Г., Головин В.М., Садыков З.Я., Юсипов Ю.Н. Влияние локальных неоднородностей в полупроводниковой подложке на характеристики лавинных фотоприемников // Письма в ЖТФ. – 1990. – Т. 16. – Вып.1. – С. 14–17.
4. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем: монография. – Минск: УО ВГКС, 2012. – 276 с.
5. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p–n-перехода в полупроводниках: монография. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.
6. Асаёнок М.А., Зеневич А.О., Горбадей О.Ю. Температурные характеристики крем-ниевых фотоэлектронных умножителей // Доклады БГУИР. – 2018. – №2 (112). – С. 54–58.
7. Асаёнок М.А., Зеневич А.О., Горбадей О.Ю. Коэффициент усиления кремниевого фотоэлектронного умножителя с низким напряжением питания // Проблемы инфокоммуникаций. – 2017. – №2 (6). – С. 82–86.
8. Техника оптической связи. Фотоприемники / Ф. Капассо, Т. Пирсолл, М.А. Поллак и др. / под ред. У. Тсанга. – М.: Мир, 1988. – 526 с.