Персоналии

Проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.

• Просмотров: 1329 | Комментариев : 0

Рассмотрены проблемы теплоотвода, тепловые эффекты и явления саморазогрева, возникающие при работе планарных силовых МОП-транзисторов КНИ-типа. С помощью методов приборно-технологического моделирования исследованы характеристики транзисторов и область безопасной работы. Показано, что ограничения области безопасной работы связаны в большей степени с саморазогревом структуры, чем с включением паразитного биполярного транзистора.

• Просмотров: 417 | Комментариев : 0

Планарные беспереходные МОП-транзисторы, имеющие по сравнению с традиционными приборами ряд преимуществ, формируются на основе КНИ-структуры. В процессе создания КНИ-структуры и последующих технологических операций формирования транзисторов возможно изменение толщины пленки кремния. В работе представлены результаты исследования с помощью приборно-технологического моделирования в системе TCAD влияния толщины пленки кремния КНИ-структуры на основные параметры планарных беспереходных МОП-транзисторов. Показано, что для компенсации деградации характеристик прибора при изменении толщины пленки кремния необходимо изменить концентрацию примеси в кремнии. При толщинах пленки кремния менее 45 нм для этого необходим уровень легирования пленки кремния примесью выше 10см.

• Просмотров: 1803 | Комментариев : 0