Персоналии

Белов Егор Николаевич
инженер-программист АО «ПКК Миландр» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, Георгиевский пр-т, 5); аспирант кафедры интегральной электроники и микросистем Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)

Статьи автора

Матрица рассеивания многополюсника (или S- параметры) широко используется для описания электрических схем в виде черного ящика. Применение S -параметров позволяет охарактеризовать схему в любом частотном диапазоне. Однако стандартные симуляторы электрических цепей не работают с S -параметрами. Кроме того, чем больше выводов у схемы и чем больший частотный диапазон требуется охарактеризовать, тем бόльшего размера матрицу приходится решать. В работе рассмотрена классическая модель вывода корпуса на основе собственной емкости, индуктивности и емкости связи между соседними выводами, которую можно построить на основе имеющихся S -параметров. Однако в данной модели нельзя учесть ВЧ- и СВЧ-эффекты, поэтому она имеет низкую точность на высоких частотах. Приведен метод оптимизации классической модели на основе стохастического алгоритма оптимизации с целью достижения большей точности модели на высоких частотах. Применение данной оптимизации позволяет повысить точность модели на высоких частотах более чем в 3 раза по сравнению с классической RLC-моделью.

  • Просмотров: 797 | Комментариев : 0

Для уменьшения негативного влияния защитного корпуса на конечные характеристики интегральной микросхемы еще на этапе разработки необходимо подобрать оптимальные параметры корпуса. Для расчета электрических параметров электродвигателей, печатных плат, микросхем широко используется электромагнитное моделирование. В работе для характеризации LGA-корпуса интегральной микросхемы проведено полноволновое трехмерное электромагнитное моделирование методом конечных элементов в частотной области. Полученные в результате моделирования S -параметры преобразованы в эквивалентную модель линии передач RLGC для определения электрических параметров - собственной емкости и индуктивности выводов, емкости связи между соседними выводами, от которых зависят полоса пропускания корпуса и перекрестные помехи. Сравнение результатов моделирования и измерения емкостей показало, что расхождение составляет менее 5 %. Результаты моделирования индуктивности оказались менее точными, однако это не имеет существенного значения для низко- и среднечастотного применения.

  • Просмотров: 641 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru