Исследование влияния электрического переходного процесса на результаты измерения теплового сопротивления ИС косвенным методом на основе термочувствительного параметра

Исследование влияния электрического переходного процесса на результаты измерения теплового сопротивления ИС косвенным методом на основе термочувствительного параметра

Раздел находится в стадии актуализации

При проектировании теплоотвода мощных ИС, а также ИС специального назначения и при расчете длительности ускоренных испытаний на надежность и долговечность применяется такой параметр, как тепловое сопротивление. Данный параметр измеряется различными методами. В работе рассмотрен метод измерения теплового сопротивления системы кристалл – корпус микросхемы, основанный на использовании термочувствительного параметра для контроля температуры кристалла. Особенность рассматриваемого метода – определение задержки между греющими и измерительными импульсами. Экспериментально показано, что электрический переходной процесс по окончании греющего импульса может длиться от десятков до сотен микросекунд. Исследовано влияние задержки измерительного импульса на точность измерения теплового сопротивления методом постоянной температуры кристалла для разных типономиналов схем. Установлено, что для схем с большими габаритами, имеющими низкое значение теплового сопротивления, минимизация задержки несущественна.
Белов Егор Николаевич
АО «ПКК Миландр», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Королев Михаил Александрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru