Персоналии

Традиционные подходы к схемотехническому моделированию одиночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в КМОП СБИС, основанные на использовании двухэкспоненциальной модели импульса тока ионизационной реакции, оказываются не всегда применимыми при переходе к суб-100-нм проектным нормам. Представлен обзор основных подходов к решению двух главных задач, возникающих при схемотехническом моделировании одиночных эффектов в суб-100-нм СБИС: учет влияния электрического режима на процесс формирования импульса ионизационного отклика и учет собирания заряда с трека ТЗЧ несколькими чувствительными элементами. В качестве решения первой задачи предложены подходы, основанные на использовании кусочно-линейного задания импульса тока на основе TCAD-расчетов, сдвоенного двухэкспоненциального источника тока и источника тока, учитывающего электрический режим транзистора. Рассмотрены способы моделирования ионизационного отклика нескольких элементов от одной ТЗЧ на основе использования lookup-таблиц и аналитических моделей зависимости ионизационного отклика от места попадания частицы. Проведенный анализ современных подходов к моделированию эффектов сбоев и импульсов ионизационной помехи в КМОП-микросхемах позволяет заключить, что наиболее гибким и физически точным является подход, основанный на использовании источника тока, учитывающего электрический режим транзистора и встраиваемого в Verilog-A код исходной модели.

• Просмотров: 2095 | Комментариев : 0

Представлены основные технические характеристики автоматизированной установки для моделирования радиационных эффектов, созданной на основе перестраиваемого по длине волны твердотельного пикосекундного лазера. Обсуждены ее конструктивные особенности, возможности и преимущества для моделирования эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства в современных микроэлектронных приборах на основе кремния, арсенида галлия, карбида кремния и т.п.

• Просмотров: 1228 | Комментариев : 0

Представлены основные применяемые в настоящее время методы и средства испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц по одиночным эффектам. Рассмотрены ограничения применимости этих методов и средств. Даны рекомендации по выбору состава и последовательности испытаний с учетом этих ограничений.

• Просмотров: 1162 | Комментариев : 0

Изложен подход к развитию методики функционального и параметрического контроля цифровых КМОП ИС при испытаниях на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц, позволяющее повысить достоверность независимого детектирования одиночных сбоев и тиристорных эффектов.

• Просмотров: 1236 | Комментариев : 0

Рассмотрен аппаратно-программный комплекс для проведения радиационных испытаний электронной компонентной базы, который реализован на основе аппаратной платформы National Instruments и среды

• Просмотров: 1228 | Комментариев : 0