Моделирование эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства на изделия микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники с использованием пикосекундного лазера

Моделирование эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства на изделия микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники с использованием пикосекундного лазера

Раздел находится в стадии актуализации

Представлены основные технические характеристики автоматизированной установки для моделирования радиационных эффектов, созданной на основе перестраиваемого по длине волны твердотельного пикосекундного лазера. Обсуждены ее конструктивные особенности, возможности и преимущества для моделирования эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства в современных микроэлектронных приборах на основе кремния, арсенида галлия, карбида кремния и т.п.
Егоров Андрей Николаевич
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ
Телец Виталий Арсеньевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Чумаков Александр Иннокентьевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва, Россия
Маврицкий Олег Борисович
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ
Печенкин Александр Александрович
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ
Яненко Андрей Викторович
АО «ЭНПО СПЭЛС», г. Москва, Россия
Кольцов Дмитрий Олегович
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru