Персоналии

Магниторезистивные преобразователи магнитного поля востребованы как для прямого, так и для косвенного применения в различных областях промышленности, транспорте и специальной технике. В работе отмечены особенности применяемой терминологии и размерностей основных параметров магниторезистивных преобразователей магнитного поля. Представлены основные результаты экспериментальных исследований разработанных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с четной и нечетной передаточной характеристикой. Конструкция данной системы, реализованная на основе анизотропного магниторезистивного эффекта, имеет нечетную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 8 мВ/В/Э. Конструкция, реализованная на основе гигантского магниторезистивного эффекта, имеет четную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 27 мВ/В/Э. Показаны результаты перспективных конструктивно-технологических решений, позволяющих достигать значений коэффициента преобразования тонкопленочных магниторезистивных наноструктур более 100 мВ/В/Э. Приведены результаты исследования тестовой спин-туннельной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры с гигантским магниторезистивным эффектом, превышающим 100 %. Отмечена новизна полученных результатов и определена перспективность использования высокочувствительных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур для создания энергонезависимой памяти с произвольной выборкой на основе тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным эффектом.

• Просмотров: 732 | Комментариев : 0

Размеры и конструкция корпуса мембранного модуля оказывают значительное влияние на его характеристики. Из-за сложности конструкции корпуса для расчета амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) мембраны мембранного модуля необходимо использовать конечно-элементное моделирование. В работе предложен способ моделирования тонкой диэлектрической мембраны в составе мембранного модуля с использованием структурно-акустического анализа в программном комплексе ANSYS. Данный метод позволяет проводить расчет с учетом влияния размеров надмембранного и подмембранного объемов. Получены зависимости резонансной частоты надмембранного объема от его геометрических размеров. Показано, что с увеличением размера подмембранного объема чувствительность мембраны приближается к значению в открытом пространстве. Проведено сравнение АЧХ мембранных модулей и показано, что наличие надмембранного и подмебранного объемов значительно влияет на значения резонансной частоты и чувствительности. Использован способ задания остаточных напряжений в мембране с помощью термического воздействия. Выполнен расчет чувствительности диэлектрической мембраны с учетом эффекта буклетирования. Проведен анализ полученных результатов и показано, что чувствительность мембраны, рассчитанная с учетом эффекта буклетирования, имеет хорошее совпадение с результатами измерений. Предложенный способ позволяет рассчитывать АЧХ мембранного модуля с учетом влияния конструктивных особенностей корпуса, а также остаточных механических напряжений в мембране. Использование структурно-акустического анализа дает возможность добиться более точных результатов при расчете АЧХ мембраны, что повысит эффективность проектирования преобразователей акустического давления и обеспечит достижение оптимальных характеристик изделия.

• Просмотров: 2021 | Комментариев : 0

Представлены конструктивно-технологические решения по созданию магнитополупроводниковой элементной базы для беспроводных магниторезистивных микросистем измерения магнитного поля, а также результаты исследования высокочувствительного магниторезистивного преобразователя с концентраторами магнитного поля. Приведены характеристики разработанного измерительного усилителя для работы с сигналом от низкоомного магниторезистивного моста, имеющего некоторую величину его разбалансировки. Описана совмещенная технология изготовления магнитополупроводни-

• Просмотров: 1342 | Комментариев : 0

Представлены результаты развития технологий магнитополупроводниковых микросистем на основе многослойных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур. Дан краткий обзор основных достижений в области создания магнитометрических приборов на основе анизотропного и гигантского магниторезистивных эффектов.

• Просмотров: 1612 | Комментариев : 0

Проведен анализ экспозиции выставки «Продуктроника - 2007», которая является одной из ведущих выставок технологического оборудования для производства изделий электронной техники.

• Просмотров: 338 | Комментариев : 0