Магниторезистивные преобразователи магнитного поля востребованы как для прямого, так и для косвенного применения в различных областях промышленности, транспорте и специальной технике. В работе отмечены особенности применяемой терминологии и размерностей основных параметров магниторезистивных преобразователей магнитного поля. Представлены основные результаты экспериментальных исследований разработанных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с четной и нечетной передаточной характеристикой. Конструкция данной системы, реализованная на основе анизотропного магниторезистивного эффекта, имеет нечетную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 8 мВ/В/Э. Конструкция, реализованная на основе гигантского магниторезистивного эффекта, имеет четную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 27 мВ/В/Э. Показаны результаты перспективных конструктивно-технологических решений, позволяющих достигать значений коэффициента преобразования тонкопленочных магниторезистивных наноструктур более 100 мВ/В/Э. Приведены результаты исследования тестовой спин-туннельной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры с гигантским магниторезистивным эффектом, превышающим 100 %. Отмечена новизна полученных результатов и определена перспективность использования высокочувствительных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур для создания энергонезависимой памяти с произвольной выборкой на основе тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным эффектом.
1. Global Magnetometer Market: Snapshot. URL: https://www.transparencymarketresearch.com/magnetometer-market.html (дата обращения: 04.12.2019).
2. Бараночников М.Л. Микроэлектроника. М.: ДМК Пресс, 2001. Т. 1. С. 27–137.
3. Ripka P. Advances in magnetic field sensors // IEEE Sensors Journal. 2010. Vol. 10. No. 6. P. 1108–1116.
4. Буслов И., Бауткин В., Драпезо А., Ярмолович В. Датчики слабых магнитных полей на эффекте Холла // Современнаяэлектроника. 2011. № 1. С. 12–17.
5. Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов / В.В. Амеличев, В.В. Аравин, А.Н. Белов и др. // Нано-имикросистемнаятехника. 2013. №3. С. 29–33.
6. Амеличев В.В., Резнев А.А. Микросистемы на основе тонкопленочных анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля и тока // Нано- и микросистемная техника. 2018. Т. 20. № 5. С. 303–307.
7. Перспективные магнитные наноструктуры с гигантским магнитосопротивлением и высокочувствительные сенсорные элементы на их основе / Институт физики металлов имени М.Н. Михеева
Уро РАН. URL: http://imp.uran.ru/?q=ru/content/perspektivnye-magnitnye-nanostruktury-s-gigantskim-magnitosoprotivleniem-i-0 (дата обращения: 04.12.2019).
8. Развитие технологий магнитополупроводниковых микросистем / В.В. Амеличев, И.Е. Абанин, В.В. Аравин и др. // Изв. вузов. Электроника. 2015. Т. 20. № 5. С. 505–510.