Персоналии

Традиционные AlGaN/GaN-транзисторы - приборы, работающие в режиме обеднения. Для большинства применений необходимо реализовывать Е -режим работы, когда ток в канале не течет при нулевом напряжении на затворе. Возможность реализации работы транзистора в Е -режиме открывает широкие перспективы для проектирования цифровых схем и силовых устройств. В работе рассмотрен новый способ формирования нормально-закрытых транзисторов, работающих в Е -режиме, - использование p -GaN-слоя под затвором. В качестве метода формирования данного слоя выбрано плазмохимическое удаление p -GaN-слоя вне затвора. При этом возникают проблемы неоднородности травления по глубине и плохого контроля скорости травления. Разработана гетероструктура с дополнительным барьерным слоем AlN, который является стоп-слоем при травлении. Приведены результаты исследования влияния различных параметров гетероструктуры на концентрацию носителей в канале и, соответственно, на выходные характеристики транзистора, разработан технологический маршрут. По разработанному технологическому маршруту сформированы образцы нормально-закрытых транзисторов, максимальный ток стока которых в открытом состоянии составляет 350 мА/мм при напряжении на затворе 4 В, пробивное напряжение - около 550 В в закрытом состоянии при 0 В на затворе.

• Просмотров: 1032 | Комментариев : 0

Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. Исследован технологический маршрут ионно-лучевой литографии с применением многослойных резистов. Отработана технология создания непрерывной сетки заземленных знаков совмещения поверх чувствительного к ионам резиста для визуализации знаков совмещения на диэлектрической подложке методом ионной микроскопии.

• Просмотров: 1603 | Комментариев : 0

Приведены результаты разработки метода создания СВЧ-транзистора, в котором Т-образный затвор формируется с применением технологии наноимпринт литографии. Исследованы характеристики созданных GaAs p -HEMT-транзисторов. Разработанный транзистор имеет длину основания затвора порядка 250 нм и максимальную крутизну более 350 мСм/мм. Предельная частота усиления по току f составляет 40 ГГц при V =1,4 В, предельная частота усиления по мощности f  - 50 ГГц при V =3 В.

• Просмотров: 1706 | Комментариев : 0