Нормально-закрытый транзистор с затвором -типа на основе гетероструктур AlGaN/GaN

Традиционные AlGaN/GaN-транзисторы - приборы, работающие в режиме обеднения. Для большинства применений необходимо реализовывать Е -режим работы, когда ток в канале не течет при нулевом напряжении на затворе. Возможность реализации работы транзистора в Е -режиме открывает широкие перспективы для проектирования цифровых схем и силовых устройств. В работе рассмотрен новый способ формирования нормально-закрытых транзисторов, работающих в Е -режиме, - использование p -GaN-слоя под затвором. В качестве метода формирования данного слоя выбрано плазмохимическое удаление p -GaN-слоя вне затвора. При этом возникают проблемы неоднородности травления по глубине и плохого контроля скорости травления. Разработана гетероструктура с дополнительным барьерным слоем AlN, который является стоп-слоем при травлении. Приведены результаты исследования влияния различных параметров гетероструктуры на концентрацию носителей в канале и, соответственно, на выходные характеристики транзистора, разработан технологический маршрут. По разработанному технологическому маршруту сформированы образцы нормально-закрытых транзисторов, максимальный ток стока которых в открытом состоянии составляет 350 мА/мм при напряжении на затворе 4 В, пробивное напряжение - около 550 В в закрытом состоянии при 0 В на затворе.
Владимир Ильич Егоркин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Владимир Александрович Беспалов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Алексей Александрович Зайцев
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Валерий Евгеньевич Земляков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Владимир Васильевич Капаев
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Ольга Борисовна Кухтяева
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться