Проанализированы методы устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонах. Выявлены наиболее эффективные методы устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при производстве фотошаблонов под уровень ИС с нормами до 90 нм.
Аваков Сергей Мирзоевич
Научно-производственное республиканское унитарное предприятие «КБТЭМ-ОМО» (Минск, Беларусь)
1. Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов// Электроника инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.
2. Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - № 1. - 1986. - Т. 59. - С. 99, 100.
3. Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм/ С.М. Аваков, С.Е. Карпович, В.А. Овчинников и др. // Фотоника. - 2007. - № 6. - С. 35-37.
4. Ehrlich C., Edinger К., Boegli V., Kuschnerus Р. Application data of the electron beam based photomask repair tool MeRiT MG // Lectures Held at the GMM Conference. EMLC. - 2005. - Р. 125-129.
5. White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of rugh-end photomasks. // 21-st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology / Ed. G.Т. Dao, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.