1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 12871821621.3.049.77Технология микроэлектроникиMethods of Repairing Original Integrated Circuit Layout Defects on PhotomasksМетоды устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонахОвчинников Вячеслав Алексеевич ОвчинниковВячеслав Алексеевич AlekseevichOvchinnikov VyacheslavOvchinnikov Vyacheslav AlekseevichБеспалов Владимир АлександровичБеспаловВладимир АлександровичBespalovVladimir A.Vladimir A. BespalovБазанов Дмитрий Владимирович БазановДмитрий Владимирович VladimirovichBazanov DmitriyBazanov Dmitriy VladimirovichАваков Сергей Мирзоевич АваковСергей Мирзоевич MirzoevichAvakov SergeyAvakov Sergey MirzoevichНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г . Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ»Научно-производственное республиканское унитарное предприятие «КБТЭМ-ОМО» (Минск, Беларусь)2029http://ivuz-e.ru/issues/74-_2008/metody_ustraneniya_defektov_topologii_integralnykh_mikroskhem_na_fotoshablonakh/http://ivuz-e.ru/download/74_2008_2748.pdf

The methods of repairing the integrated circuit layout defects on photomasks have been analyzed. The most effective methods for removal of the clear and opaque defects in manufacture of the photomasks for ICs with the standards of up to 90 nm modes have been revealed.

Проанализированы методы устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонах. Выявлены наиболее эффективные методы устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при производстве фотошаблонов под уровень ИС с нормами до 90 нм.

 Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов// Электроника инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - № 1. - 1986. - Т. 59. - С. 99, 100.Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм/ С.М. Аваков, С.Е. Карпович, В.А. Овчинников и др. // Фотоника. - 2007. - № 6. - С. 35-37.Ehrlich C., Edinger К., Boegli V., Kuschnerus Р. Application data of the electron beam based photomask repair tool MeRiT MG // Lectures Held at the GMM Conference. EMLC. - 2005. - Р. 125-129.White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of rugh-end photomasks. // 21-st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology / Ed. G.Т. Dao, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.