The methods of repairing the integrated circuit layout defects on photomasks have been analyzed. The most effective methods for removal of the clear and opaque defects in manufacture of the photomasks for ICs with the standards of up to 90 nm modes have been revealed.
1. Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов// Электроника инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.
2. Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - № 1. - 1986. - Т. 59. - С. 99, 100.
3. Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм/ С.М. Аваков, С.Е. Карпович, В.А. Овчинников и др. // Фотоника. - 2007. - № 6. - С. 35-37.
4. Ehrlich C., Edinger К., Boegli V., Kuschnerus Р. Application data of the electron beam based photomask repair tool MeRiT MG // Lectures Held at the GMM Conference. EMLC. - 2005. - Р. 125-129.
5. White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of rugh-end photomasks. // 21-st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology / Ed. G.Т. Dao, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.