<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="risc">12871821</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.77</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технология микроэлектроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Methods of Repairing Original Integrated Circuit Layout Defects on Photomasks</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Методы устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонах</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Беспалов Владимир Александрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Беспалов</surname><given-names>Владимир Александрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Bespalov</surname><given-names>Vladimir A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladimir A. Bespalov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia</aff></contrib-group><fpage>20</fpage><lpage>29</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/74-_2008/metody_ustraneniya_defektov_topologii_integralnykh_mikroskhem_na_fotoshablonakh/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/en/download/74_2008_2748_en.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The methods of repairing the integrated circuit layout defects on photomasks have been analyzed. The most effective methods for removal of the clear and opaque defects in manufacture of the photomasks for ICs with the standards of up to 90 nm modes have been revealed.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Проанализированы методы устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонах. Выявлены наиболее эффективные методы устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при производстве фотошаблонов под уровень ИС с нормами до 90 нм.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Аваков С.М., Карпович С.Е., Овчинников В.А., Титко Е.А. Операции контроля топологии в технологическом процессе изготовления фотошаблонов// Электроника инфо. - 2008. - № 1. - С. 43.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ионно-лучевая установка для ремонта фотошаблонов // Электроника. - № 1. - 1986. - Т. 59. - С. 99, 100.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм/ С.М. Аваков, С.Е. Карпович, В.А. Овчинников и др. // Фотоника. - 2007. - № 6. - С. 35-37.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ehrlich C., Edinger К., Boegli V., Kuschnerus Р. Application data of the electron beam based photomask repair tool MeRiT MG // Lectures Held at the GMM Conference. EMLC. - 2005. - Р. 125-129.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">White R., Verbeek М., Bozak R., Кlos М. Use of nanomachining as а technique to reduce scrap of rugh-end photomasks. // 21-st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology / Ed. G.Т. Dao, B.J. Grenon. - 2002. - Vol. 4562. - Р. 213-224.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
