Модели и методы анализа структуры коммутационных ресурсов ПЛИС

Раздел находится в стадии актуализации

До настоящего времени при решении задачи анализа и оценки структуры трассировочных ресурсов ПЛИС на ранних этапах проектирования доминировал подход, суть которого в прохождении полного маршрута проектирования (логический синтез, размещение, трассировка) на наборе тестовых схем с последующей оценкой различных параметров для каждой анализируемой архитектуры ПЛИС. Данный подход требует много времени и вычислительных ресурсов, а также наличия готового и настроенного на данную архитектуру САПР. Современные ПЛИС содержат больше миллиона логических вентилей, следовательно применение такого подхода неэффективно. Поэтому большое внимание уделяется построению различных моделей, позволяющих оценить структуру коммутационных ресурсов на ранних этапах, не прибегая к полному прохождению маршрута проектирования. В работе представлен детальный обзор существующих моделей и методов анализа структуры коммутационных ресурсов ПЛИС. Приведено сравнение методов и моделей, выполнена оценка их эффективности и возможности применения при проектировании отечественных ПЛИС. Установлено, что наиболее оптимальным подходом для анализа произвольных структур коммутационных ресурсов ПЛИС является разработка и применение смешанных методов. Это позволит получить точные модели, а также значительно сократить время разработки и выхода на рынок.
Чочаев Рустам Жамболатович
Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия
Железников Даниил Александрович
Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Иванова Галина Александровна
Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия
Гаврилов Сергей Витальевич
Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия
Эннс Виктор Иванович
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru