Публикации журнала

Раздел находится в стадии актуализации

Статьи

  •      Развитые технологии КМОП-структур и энергонезависимая память на их основе столкнутся с фундаментальными ограничениями уже в 2018-2020 гг. В настоящее время проводится интенсивный поиск приборов на основе новых физических принципов, которые потен...

Авторы: Белов Алексей Николаевич , Перевалов Алексей Андреевич , Шевяков Василий Иванович
305 - 321
  • Электрофизические свойства кремния ограничивают его применение для оптоэлектронных элементов и приборов СВЧ-техники. В этой области материалы с большей шириной запрещенной зоны, в частности GaN, AlN, InN и твердые растворы на их основе, значительно п...

Авторы: Вигдорович Евгений Наумович
322 - 330
  • Процесс контроля технологической операции травления щелевой изоляции применяется в технологическом цикле производства КМОП-изделий. Для повышения оперативности и информативности этого контрольного процесса может быть применен метод оптической скаттер...

Авторы: Волоховский Александр Дмитриевич , Герасименко Николай Николаевич , Петраков Дмитрий Сергеевич
331 - 340
  • Исследована возможность применения эксергетического метода термодинамического анализа как средство мониторинга энергоэффективности системы воздухоподготовки чистых помещений. Повышение энергоэффективности можно достичь за счет тщательного термодинами...

Авторы: Рябышенков Андрей Сергеевич
341 - 349
  • Эффективным диагностическим методом контроля качества цифровых интегральных схем (ЦИС) является измерение их тепловых параметров. Значения тепловых параметров реальных изделий определяются качеством их производства и могут существенно отличат...

Авторы: Сергеев Вячеслав Андреевич , Тетенькин Ярослав Геннадьевич
350 - 360
  • Стандартные программы позволяют моделировать КМОП-микросхемы с учетом воздействия радиации на активные элементы. Однако применение таких программ при моделировании микросхем с учетом одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) не отличается эффекти...

Авторы: Кононов Владимир Сергеевич , Шелепин Николай Алексеевич
361 - 368
  • Переход на уровень нанометровых технологий с размером транзистора 32 нм и ниже приводит к формированию нового направления в наноэлектронике - проектирование на основе транзисторов с вертикальным затвором (FinFET). При уменьшении размеров тран...

Авторы: Гаврилов Сергей Витальевич , Карева Елена Сергеевна , Рыжова Дарья Игоревна
369 - 378
  • Основным алгоритмом моделирования цифровых схем, применяемых в цифровых симуляторах, является алгоритм событийного моделирования. Однако неявный выбор очередности срабатывания одновременно переключающихся сигналов может приводить к возникновению отли...

Авторы: Булах Дмитрий Александрович , Казённов Геннадий Георгиевич , Лапин Александр Владимирович
379 - 385
  • Электростатический актюатор применяется в конструкциях микромеханических акселерометров, гироскопов, вибромоторов и других приборов. Изменение величины зазора между гребенками ротора и статора разных форм влияет на электростатическую силу. В микроэле...

Авторы: Аунг Тхура, Симонов Борис Михайлович , Тимошенков Сергей Петрович
386 - 397
  • Методика регулирования концентрации углеродных нанотрубок (УНТ) включает в себя три стадии. На первой, до синтеза нанотрубок, проводится литографическая фрагментация катализатора при условии его формирования с помощью «фазового расслоения», ф...

Авторы: Кондратьев Павел Константинович
398 - 402
  • В интегральных КМОП-схемах под действием космической радиации происходят различного рода нарушения функционирования. Частицы высокой энергии при взаимодействии с материалом полупроводника вносят неравновесный заряд, способный вызывать импульсы тока и...

Авторы: Тимошенков Валерий Петрович , Фатеев Иван Александрович
402 - 406

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru