Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. Физика и технология

Раздел находится в стадии актуализации

     Развитые технологии КМОП-структур и энергонезависимая память на их основе столкнутся с фундаментальными ограничениями уже в 2018-2020 гг. В настоящее время проводится интенсивный поиск приборов на основе новых физических принципов, которые потенциально будут иметь более высокую степень интеграции. В качестве таких приборов предлагается использовать мемристоры. Представлен обзор литературы, посвященной последним разработкам в области создания мемристорных структур, а также массивам на их основе. Детально рассмотрены материалы, технологии создания и физические принципы функционирования мемристорных структур, а также современные технологии создания массивов этих структур. Представлены три наиболее перспективные направления развития мемристоров на основе халькогенидов, оксидов металлов и твердых электролитов. Обзор будет полезен исследователям и специалистам в области создания кремниевой энергонезависимой памяти.
Белов Алексей Николаевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Перевалов Алексей Андреевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Шевяков Василий Иванович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru