Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов

Раздел находится в стадии актуализации

Предложен метод измерений электрофизических характеристик полупроводниковых структур: удельной электропроводности n -слоя, играющего роль подложки полупроводниковой структуры; толщины и удельной электропроводности сильнолегированного эпитаксиального n -слоя. Метод основан на использовании одномерного СВЧ фотонного кристалла с нарушением периодичности, содержащего исследуемую полупроводниковую структуру. Приведены измеренные данным методом характеристики эпитаксиальных арсенид-галлиевых структур, состоящих из эпитаксиального слоя и полуизолирующей подложки.
Усанов Дмитрий Александрович
Саратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия
Никитов Сергей Аполлонович
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
Скрипаль Александр Владимирович
Саратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия
Пономарев Денис Викторович
Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», г.Саратов, Россия
Латышева Екатерина Викторовна
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru