1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.372.2Методы и техника измеренийMeasurements of Elecrophysical Characteristics of Semiconductor Structures Using Microwave Photonic CrystalsИзмерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристалловУсанов Дмитрий Александрович УсановДмитрий Александрович AleksandrovichUsanov DmitriyUsanov Dmitriy AleksandrovichНикитов Сергей Аполлонович НикитовСергей Аполлонович ApollonovichNikitov SergeyNikitov Sergey ApollonovichСкрипаль Александр ВладимировичСкрипальАлександр ВладимировичSkripalAlexander V.Alexander V. SkripalПономарев Денис Викторович ПономаревДенис Викторович ViktorovichPonomarev DenisPonomarev Denis ViktorovichЛатышева Екатерина Викторовна ЛатышеваЕкатерина Викторовна ViktorovnaLatysheva EkaterinaLatysheva Ekaterina ViktorovnaСаратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, РоссияИнститут радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наукСаратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», г.Саратов, РоссияСаратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского187194http://ivuz-e.ru/issues/2-_2016/izmereniya_elektrofizicheskikh_kharakteristik_poluprovodnikovykh_struktur_s_ispolzovaniem_svch_foton/http://ivuz-e.ru/download/2_2016_1815.pdf

The method of the multiparameter measurements of characteristics of semiconductor structures: the electrical conductivity of the n-layer, which acts as a substrate of the semiconductor structure, the thickness and conductivity of the highly doped epitaxial n-layer, has been proposed. The method is based on using the one-dimensional microwave photonic crystal with the periodicity defect, which contains the investigated semiconductor structure. The characteristics, measured by this method, of epitaxial arsenide-gallium structures, consisting of the epitaxial layer and semi-isolating substrate, have been presented.

Предложен метод измерений электрофизических характеристик полупроводниковых структур: удельной электропроводности n -слоя, играющего роль подложки полупроводниковой структуры; толщины и удельной электропроводности сильнолегированного эпитаксиального n -слоя. Метод основан на использовании одномерного СВЧ фотонного кристалла с нарушением периодичности, содержащего исследуемую полупроводниковую структуру. Приведены измеренные данным методом характеристики эпитаксиальных арсенид-галлиевых структур, состоящих из эпитаксиального слоя и полуизолирующей подложки.

СВЧ фотонный кристаллполупроводниковые слоистые структурымногопараметровые измерениятолщинаудельная электропроводность Donor and acceptor modes in photonic band structure / E. Yablonovitch, T.J. Gimitter, R.D. Meade et al. // Phys. Rev. Lett. – 1991. – Vol. 67. – № 24. – P. 3380–3383.Belyaev B.A., Voloshin A.S., Shabanov V.F. Study of Q-factor of impurity mode reso-nance in microstrip model of 1D-photonic crystal // Doklady Physics (Doklady Akademii Nauk). – 2005. – Vol. 403. – № 3. – P. 319–324.Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометро-вых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов / С.А. Никитов, Ю.В. Гуляев, Д.А. Усанов и др. // Доклады Академии наук. – 2013. – Т. 448. – № 1. – С. 35–37.Microwave photonic structures and their application for measurements of parameters of thin semiconductor layers / D.A. Usanov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev et al. // Proc. of the 44th European Microwave Conf. (Rome, Italy, 6–9 Oct. 2014). – 2014. – P. 984–987.New techniques of measurement parameters of thin semiconductor layers by means of mi-crowave photonic crystals / D. Usanov, A. Skripal, D. Ponomarev et al. // Proc. of 20th Interna-tional Conference on Microwaves, Radar, and Wireless Communications MIKON-2014 (Gdansk, Poland, 16–18 June 2014). – 2014. – Vol. 1. – P. 62–64.Усанов Д.А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. – 55 с.Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металли-ческих пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках / Ю.А. Чаплыгин, Д.А. Усанов, Ал.В. Скрипаль и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2005. – № 1. – С. 68–77.Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл – полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. – 2006. – Т. 76. – Вып. 5. – С. 112–117.