Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики твердого тела СГУ, г. Саратов, Россия. Область научных интересов: твердотельная, микро- и наноэлектроника, СВЧ-электроника, радиофизика.
Предложен метод измерений электрофизических характеристик полупроводниковых структур: удельной электропроводности n -слоя, играющего роль подложки полупроводниковой структуры; толщины и удельной электропроводности сильнолегированного эпитаксиального n -слоя. Метод основан на использовании одномерного СВЧ фотонного кристалла с нарушением периодичности, содержащего исследуемую полупроводниковую структуру. Приведены измеренные данным методом характеристики эпитаксиальных арсенид-галлиевых структур, состоящих из эпитаксиального слоя и полуизолирующей подложки.
Исследовано влияние непрерывных электромагнитных полей СВЧ-диапазона среднего уровня мощности на характеристики RC -генератора прямоугольных сигналов с многоканальной буферной схемой развязки и схемой согласования. RC -генератор выполнен на инверторах серии 74HC14 со встроенным триггером Шмидта. Показано, что увеличение мощности воздействующего электромагнитного излучения приводит к уменьшению длительности импульсов и, следовательно, к увеличению частоты выходного сигнала RC -генератора. При этом чувствительность выходного сигнала RC -генератора к воздействию СВЧ-сигнала уменьшается как с увеличением напряжения питания, так и мощности СВЧ-сигнала. Установлено, что выходные характеристики цифровых радиоэлектронных систем оказываются наиболее чувствительными к воздействию СВЧ-сигнала при использовании полупроводниковых интегральных микросхем в качестве активных элементов и при выборе режимов работы микросхем по постоянному напряжению, значительно отличающемуся от номинального.