Персоналии
доктор физико-математических наук, профессор, директор Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, член-корреспондент РАН. Область научных интересов: твердотельная, микро- и наноэлектроника
Статьи автора
Предложен метод измерений электрофизических характеристик полупроводниковых структур: удельной электропроводности n -слоя, играющего роль подложки полупроводниковой структуры; толщины и удельной электропроводности сильнолегированного эпитаксиального n -слоя. Метод основан на использовании одномерного СВЧ фотонного кристалла с нарушением периодичности, содержащего исследуемую полупроводниковую структуру. Приведены измеренные данным методом характеристики эпитаксиальных арсенид-галлиевых структур, состоящих из эпитаксиального слоя и полуизолирующей подложки.
- Просмотров: 1466 | Комментариев : 0