The method of the multiparameter measurements of characteristics of semiconductor structures: the electrical conductivity of the n-layer, which acts as a substrate of the semiconductor structure, the thickness and conductivity of the highly doped epitaxial n-layer, has been proposed. The method is based on using the one-dimensional microwave photonic crystal with the periodicity defect, which contains the investigated semiconductor structure. The characteristics, measured by this method, of epitaxial arsenide-gallium structures, consisting of the epitaxial layer and semi-isolating substrate, have been presented.
1. Donor and acceptor modes in photonic band structure / E. Yablonovitch, T.J. Gimitter, R.D. Meade et al. // Phys. Rev. Lett. – 1991. – Vol. 67. – № 24. – P. 3380–3383.
2. Belyaev B.A., Voloshin A.S., Shabanov V.F. Study of Q-factor of impurity mode reso-nance in microstrip model of 1D-photonic crystal // Doklady Physics (Doklady Akademii Nauk). – 2005. – Vol. 403. – № 3. – P. 319–324.
3. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометро-вых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов / С.А. Никитов, Ю.В. Гуляев, Д.А. Усанов и др. // Доклады Академии наук. – 2013. – Т. 448. – № 1. – С. 35–37.
4. Microwave photonic structures and their application for measurements of parameters of thin semiconductor layers / D.A. Usanov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev et al. // Proc. of the 44th European Microwave Conf. (Rome, Italy, 6–9 Oct. 2014). – 2014. – P. 984–987.
5. New techniques of measurement parameters of thin semiconductor layers by means of mi-crowave photonic crystals / D. Usanov, A. Skripal, D. Ponomarev et al. // Proc. of 20th Interna-tional Conference on Microwaves, Radar, and Wireless Communications MIKON-2014 (Gdansk, Poland, 16–18 June 2014). – 2014. – Vol. 1. – P. 62–64.
6. Усанов Д.А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. – 55 с.
7. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металли-ческих пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках / Ю.А. Чаплыгин, Д.А. Усанов, Ал.В. Скрипаль и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2005. – № 1. – С. 68–77.
8. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл – полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. – 2006. – Т. 76. – Вып. 5. – С. 112–117.