Персоналии

Хайновский Владимир Иванович
кандидат физико-математических наук, доцент, научный консультант кафедры общей физики МИЭТ, г. Москва, Россия. Область научных интересов: физика полупроводников, структуры металл–диэлектрик–полупроводник, приборы с зарядовой связью.

Статьи автора

Исследованы распределения электрического потенциала в толще пятидиодной вертикально интегрированной фотоприемной структуры. Получены спектральные характеристики фоточувствительностей в пяти областях различного типа проводимости. Для указанных областей найдены времена фоторелаксации.

  • Просмотров: 317 | Комментариев : 0

Исследовано влияние управляющих напряжений на фотоэлектрические характеристики фотоячейки с тремя вертикально интегрированными --переходами. Приведены временные диаграммы управляющих

  • Просмотров: 1319 | Комментариев : 0

Исследованы характеристики динамического диапазона многоканальной фотоячейки, а также отношение сигнал/шум для считываемых фотосигналов из n - и p -областей фотоячейки. Установлено, что значения фоточувствительностей определяются как выбранными конструктивными параметрами фотоячейки, так и максимально возможными управляющими напряжениями. Показано, что считываемый фотосигнал многоканальной фотодиодной структуры пропорционален световому потоку.

  • Просмотров: 1249 | Комментариев : 0

Проведен математический анализ вертикально интегрированной фоточувствительной ячейки, предназначенной для матричного спектральноселективного фотоэлектрического преобразователя изображений. Исследованы конструктивные параметры и управляющие напряжения фотоячейки, а также распределения электрического потенциала. Рассчитаны поверхностные концентрации накапливаемых фотоносителей и время терморелаксации p-n-p-n-структуры фотоячейки.

  • Просмотров: 279 | Комментариев : 0

Проведен анализ и численный расчет процессов фоторелаксации и спектральных характеристик фоточувствительности n- и p-областей трехдиодной вертикально интегрированной фотоячейки. Получены зависимости времен фоторелаксации n- и p-областей фотоячейки от длины волны поглощаемого оптического излучения.

  • Просмотров: 271 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru