Исследованы характеристики динамического диапазона многоканальной фотоячейки, а также отношение сигнал/шум для считываемых фотосигналов из n - и p -областей фотоячейки. Установлено, что значения фоточувствительностей определяются как выбранными конструктивными параметрами фотоячейки, так и максимально возможными управляющими напряжениями. Показано, что считываемый фотосигнал многоканальной фотодиодной структуры пропорционален световому потоку.
1. Игнатьева Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Расчет конструктивных параметров и электрического потенциала трехдиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейки // Изв. вузов. Электроника. 2008. №1. С. 3542.
2. Игнатьева Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Анализ процессов фоторелаксации и фотоэлектрических характеристик трехдиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейки // Изв. вузов. Электроника. 2008. №3. С. 3844.
3. Ignatjeva E.A., Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical processes in spectroselectiv photosensitive сells based on three bulk integrated photodiodes // IEEE 2008 International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials: Proc. 9-th Annual (Erlagor, Altai, July 1-5, 2008). 2008 P. 6268.
4. Dash W.C., Newman R. Intrinsic Optical Absorption in Single-Crystal Germanium and Silicon at 77 K and 300 K // Physical Rewiew. 1955. Vol. 99. № 4. Р. 1151 – 1155.
5. Merrill R.B. Color Separation in an Active Pixel Cell Imaging Array Using a Triple-Well-Structure // US Patent №5,969,875, Int.Cl. G01J 3/50, U.S.Cl. 250/226, 12 Oct. 1999.
6. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Spectrozonal two-channel volumetric charge coupled device // Proc. 3rd MideuropeanSymp. Exhib. On Sem. Eng. and Techn. «SET-92» (Warsaw, Poland, Oct. 12-14, 1992). P. 281.
7. Barsan R. Characteristics of the Overlaid Charge-Coupled Device // IEEE Transactions on Electron Devices. 1979. Vol. ED-26. №2. P. 123131.
8. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Theoretical and experimental study of photoelectric characteristics of the two-channel bulk charge-coupled device // Optical Engineering, Vol. 33. №7. 1994. P. 23522356.
9. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical characteristics of the spectrozonal two-channel bulk charge coupled device // Proc. 40th Int. Symp. Opt. Eng. Inst. (San Diego, California, USA, 13-14 July, 1995). 1995. Vol. 2551. P. 189196.
10. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Numerical simulation of photoelectrical characteristics of the spectrozonal three-channel bulk charge coupled device // Optical Engineering. 1997. Vol. 36. P. 16781684.
11. Eberhardt K., Neidlinger T., Schubert M.B. Three-Color Sensor Based on Amorphous n-i-p-i-n Layer Sequence // IEEE Transactions on Electron Devices. 1995. Vol. 42 №10. P. 17631768.
12. Zimmer J., Knipp D., Stiebig H., Wagner H. Amorphous Silicon-Based Unipolar Detector for Color Recognition // IEEE Transactions on Electron Devices. 1999. Vol. 46. №5. P. 884891.
13. Topic M., Stiebig H., Knipp D., Smole F. Optimization of a-Si:H-based Three-Terminal Three-Color Detectors // IEEE Transactions on Electron Devices. 1999. Vol. 46. № 9. P. 18391845.
14. Gradisnik V., Pavlovic M., Pivac B., Zulim I. Study of the Color Detection of a-Si:H by Transient Response in the Visible Range // IEEE Transactions on Electron Devices. 2002. Vol. 49. №4. P. 550556.
15. Cho K.-D., Tae H.-S., Chien S.-I. Improvement of Color Temperature Using Independent Control of Red, Green, Blue Luminance in AC Plasma Display Panel // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 50. №2. 2003. P. 359364.
16. The Analysis of Dark Signals in the CMOS APS Imagers From the Characterization of Test Structures / H.I. Kwon, I.M. Kang, B.-G. Park et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2004. Vol. 51. №2. P. 178183.
17. Volodin E.B., Ignatjeva E.A., Uzdovskii V.V. Simulation and Optimization of the CMOS Structure with Vertically Integrated Single-Contact Photodetectors with Separation of Colors in the Visible Spectral Region // Semiconductors. 2008. Vol. 42. N 13. P. 15271531.
18. Denisova E.A., Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical Processes in Spectroselective Photocells for Matrix Photo Receivers Based on Five Bulk Integrated p-n-Junctions // IEEE 2009 Intern. Conf. and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings 10-th Annual (Erlagol, Altai, July 1-6, 2009). 2009. P. 391394.
19. Ignatjeva E.A., Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical Processes in The Five-Diodes Bulk Integrated Spectroselective Photocell // Semiconductors. 2009. Vol. 43. № 13. P. 16821686.
20. Denisova E.A., Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Study of photoelectrical spectroselective multichannel photocells for photodetectors based on the bulk integrated p-n-junctions// Proc. of 11th Annual JEEE International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials (Erlagol, Altai, June 30 – July 4, 2010). 2010. P. 484–498.
21. Денисова Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Фотоэлектрические процессы в многоканальных спектрозональных фотоячейках с вертикально интегрированными p–n-переходами для фотоэлектрических преобразователей изображения с разделением цветов // Изв. вузов. Электроника. 2011. №3(89). С. 35–39.
22. Denisova E.A., Uzdovskii V.V., Khainovski V.I. Multichannel Photocells for Image Converters with Color Separation // Semiconductors. Vol. 45. N. 13. 2011. Р. 16841688.
23. Денисова Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.В. Управление и считывание сигналов в фотоячейке с вертикально интегрированными p–n-переходами // Изв. вузов. Электроника. 2011. №5(91). С. 48–53.
24. Денисова Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Влияние конструктивных параметров управляющих напряжений на фотоэлектрические характеристики фотоячейки с тремя вертикально интегрированными pn-переходами // Изв. вузов. Электроника. 2012. №4(96). С. 18–23.
25. Денисова Е.А., Игнатьева Н.В., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Фотоприемное устройство // Патент на изобретение №2439747, приоритет от 14.10.2010, дата выдачи 10.01.2012.
26. Денисова Е.А., Игнатьева Н.В., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства // Патент на изобретение №2456708, приоритет от 29.03.2011, дата выдачи 20.06.2012.