Персоналии

Представлена комплексная расчетно-экспериментальная методика исследования СВЧ-характеристик корпусов ИС, основанная на технологии векторных измерений и электромагнитного анализа. Определены параметры модели и предельная частота использования металлокерамических и металлостеклянных корпусов отечественного производства.

• Просмотров: 1202 | Комментариев : 0

Технология КМОП КНИ перспективна для создания широкой номенклатуры радиочастотных аналого-цифровых приемо-передающих БИС, в том числе для производства аппаратуры космического назначения. Представлены результаты проектирования и исследований радиочастотных элементов библиотеки и набора функциональных блоков для отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм. Библиотека элементов включает радиочастотные n -канальные МОП-транзисторы с частотой единичного усиления не менее 30 ГГц, МОП-варикапы, катушки индуктивности, конденсаторы, резисторы. Набор радиочастотных функциональных блоков включает усилители, генераторы, смесители, переключатели сигналов, делители частоты с рабочими частотами от 0,1 до 4 ГГц. Стойкость функциональных блоков к дозовому воздействию ионизирующего излучения составляет не менее 3·10 ед., тиристорный эффект и катастрофические отказы отсутствуют при воздействии тяжелых заряженных частиц с линейными потерями энергии до 80 МэВ·см/мг. Результаты исследований подтверждают возможность создания приемо-передающих БИС космического применения с рабочими частотами до 3 ГГц по отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм.

• Просмотров: 2106 | Комментариев : 0

Рассмотрены схемы построения полупроводниковых ИС многоразрядных фазовращателей для активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Показано, что использование активных векторных фазо-

• Просмотров: 1270 | Комментариев : 0

Проведен анализ радиационных эффектов в планарных наноразмерных структурах при воздействии стационарного и импульсного ионизирующего излучения. Исследованы характеристики опытных образцов планарной наноразмерной структуры, изготовленной путем осаждения сверхтонкой пленки титана на полуизолирующую GaAs-подложку, а также полевых транзисторных структур на основе пучков углеродных нано-

• Просмотров: 1221 | Комментариев : 0