Радиационные эффекты в элементах наноэлектроники

Раздел находится в стадии актуализации

Проведен анализ радиационных эффектов в планарных наноразмерных структурах при воздействии стационарного и импульсного ионизирующего излучения. Исследованы характеристики опытных образцов планарной наноразмерной структуры, изготовленной путем осаждения сверхтонкой пленки титана на полуизолирующую GaAs-подложку, а также полевых транзисторных структур на основе пучков углеродных нано-
Громов Дмитрий Викторович
Московский инженерно-физический институт (национальный исследовательский ядерный университет)
Елесин Вадим Владимирович
Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ
Петров Гарри Васильевич
Московский инженерно-физический институт (национальный исследовательский ядерный университет)
Бобринецкий Иван Иванович
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Неволин Владимир Кириллович
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru