Персоналии

Исследованы флуктуации напряжения на тонких пленках никеля нанометровой толщины, возникающие при пропускании через пленочный образец постоянного тока, в процессе медленного термического нагрева. Показано, что положительные флуктуации (выбросы) напряжения обусловлены повышением сопротивления в локальных областях исследуемой пленки, вызванные ее локальными утонениями и возникновением разрывов в ней в результате начала процесса плавления. Экспериментально определена температура начала процесса плавления наноразмерных пленок никеля на окисленном кремнии: для пленок толщиной 5, 20 и 40 нм она равна 740, 815  и 875 К соответственно.

• Просмотров: 1138 | Комментариев : 0

Приведены результаты разработки метода создания СВЧ-транзистора, в котором Т-образный затвор формируется с применением технологии наноимпринт литографии. Исследованы характеристики созданных GaAs p -HEMT-транзисторов. Разработанный транзистор имеет длину основания затвора порядка 250 нм и максимальную крутизну более 350 мСм/мм. Предельная частота усиления по току f составляет 40 ГГц при V =1,4 В, предельная частота усиления по мощности f  - 50 ГГц при V =3 В.

• Просмотров: 1642 | Комментариев : 0