Персоналии
ведущий инженер АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (г. Москва). Область научных интересов: микроэлектроника, физика твердого тела
Статьи автора
На основе сравнительного анализа экспериментальных данных показано, что существуют два различных эффекта переключения проводимости в оксиде кремния. Различия состоят в структуре каналов проводимости, а также в механизме их образования и разрушения. Эффект переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти (ReRAM) на основе SiO успешно объясняется с позиций рассмотрения SiO как пересыщенного твердого раствора кремния в SiO. Модель переключения ReRAM SiO базируется на процессах разрыва кремниевых связей под действием электрического поля и их восстановления вследствие термического отжига.
- Просмотров: 1301 | Комментариев : 0