На основе сравнительного анализа экспериментальных данных показано, что существуют два различных эффекта переключения проводимости в оксиде кремния. Различия состоят в структуре каналов проводимости, а также в механизме их образования и разрушения. Эффект переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти (ReRAM) на основе SiO успешно объясняется с позиций рассмотрения SiO как пересыщенного твердого раствора кремния в SiO. Модель переключения ReRAM SiO базируется на процессах разрыва кремниевых связей под действием электрического поля и их восстановления вследствие термического отжига.
1. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Cтруктурно-примесные комплексы в системе крем-ний–диоксид кремния // Изв. вузов. Электроника. – 2000. – № 3. – С. 39–47.
2. Yao J., Zhong L., Natelson D., Tour J.M. Etching-dependent reproducible memory switching in vertical SiO2 structures // Appl. Phys. Lett. – 2008. – Vol. 93. – P. 253101.
3. Tunable electroluminescence in planar graphene/SiO2 memristors / C. He, J. Li, X. Wu et al. // Advanced Materials. – 2013. – Vol. 25. – Iss. 39. – P. 5593–5598.
4. Захаров П.С., Итальянцев А.Г. Эффект переключения электрической проводимости в структурах металл–диэлектрик–металл на основе нестехиометрического оксида кремния // Тр. МФТИ. – 2015. – Т.7. – № 2. – С. 113–118.
5. Structural changes and conductance thresholds in metal-free intrinsic SiOx resistive random access memory / A. Mehonic, M. Buckwell, L. Montesi et al. // J. Appl. Phys. – 2015. – Vol. 117. – P. 124505.
6. Intrinsic SiOx-based unipolar resistive switching memory. II. Thermal effects on transport and characteriza-tion of multilevel programming / Y.-F. Chang, B. Fowler, Y.-C. Chen et al. // J. Appl. Phys. – 2014. – Vol. 116. – P. 043709.
7. Multilevel resistive switching in planar graphene/SiO2 nanogap structures / C. He, Z. Shi, L. Zhang et al. // ACS Nano. – 2012. – Vol. 6. – No. 5. – P. 4214–4221.
8. Tomozeiu N. Silicon oxide (SiOx, 0<x<2): a challenging material for optoelectronics // Optoelectronics. – Materials and Techniques. – 2011. – URL: http://www.intechopen.com/books/optoelectronics-materials-and-techniques/silicon-oxide-siox-0-x-2-a-challenging-material-for-optoelectronics (дата обращения: 30.03.2016).
9. Pavesi L., Turan R. Silicon nanocrystals: fundamentals, synthesis and applications. – Published Online: 29 Apr. 2010, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. –
URL: http://onlinelibrary.wiley.com/book/10.1002/9783527629954;jsessionid=
=F33C00F050C4AC0B7390F779F9ED3C7F.f02t04 (дата обращения: 30.03.2016).
10. Highly transparent nonvolatile resistive memory devices from silicon oxide and grapheme / J. Yao, J. Lin, Y. Dai, J.M. Tour et al. // Nature Communications. – 2012. – Vol. 3. – P. 1–8.
11. McPherson J.W. Time dependent dielectric breakdown physics – models revisited // Microelectronics Re-liability. – 2012. – No.52. – P. 1753–1760.
12. Resistive switching mechanism in silicon highly rich SiOx (x<0,75) films based on silicon dangling bonds percolation mode / Y. Wang, X. Qian, K. Chen et al. // Appl. Phys. Lett. – 2013. – Vol. 102. – P. 042103.