Персоналии

Агеев Олег Алексеевич
Доктор технических наук, профессор кафедры НТ МСТ ИНЭП ЮФУ, директор НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ. Область научных интересов: стимулированные фотонным, ионно- и электронно-лучевым воздействием физико-химические процессы технологии микро- и наноэлектроники; разработка и исследование

Статьи автора

Представлены результаты экспериментальных исследований модификации зондов для атомно-силовой микроскопии критических размеров (Critical Dimension Atomic Force Microscopy - CD-AFM) осаждением углеродных нанотрубок (УНТ) для повышения точности определения шероховатости поверхности вертикальных стенок субмикронных структур. Исследованы методы осаждения индивидуальной УНТ на острие зонда атомно-силового микроскопа (АСМ), основанные на механическом и электростатическом взаимодействиях между зондом и массивом вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ). Показано, что при расстоянии между острием АСМ-зонда и массивом ВОУНТ 1 нм и приложении напряжения в диапазоне 20-30 В, на острие осаждается индивидуальная углеродная нанотрубка. На основании полученных результатов сформирован зонд с углеродной нанотрубкой на острие (УНТ-зонд) радиусом 7 нм и аспектным отношением 1:15. Исследования УНТ-зонда показали, что его применение повышает разрешающую способность и достоверность измерений АСМ-методом по сравнению с коммерческим зондом, а также позволяет определять шероховатость вертикальных стенок высокоаспектных структур методом CD-AFM. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов изготовления и восстановления специальных АСМ-зондов, в том числе зондов для CD-AFM, а также при разработке методик межоперационного экспресс-контроля параметров технологического процесса производства элементов микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники.

  • Просмотров: 1450 | Комментариев : 0

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов активации зондовой нанолитографии тонкой пленки титана методом локального анодного окисления. Установлено, что использование УФ-стимуляции приводит к уменьшению геометрических размеров оксидных наноразмерных структур и сопровождается увеличением амплитуды с 6 до 7 В и длительности импульсов с 50 до 100 мс порогового напряжения при относительной влажности 50%. Приведены результаты экспериментальных исследований влияния материала проводящего покрытия кантилевера и температуры подложки на геометрические размеры сформированных оксидных наноразмерных структур.

  • Просмотров: 1187 | Комментариев : 0

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов ионно-стимулированного осаждения структур Pt толщиной от (0,48 ± 0,1) до (24,38 ± 0,1) нм методом фокусированных ионных пучков. Экспериментально определена скорость ионно-стимулированного осаждения Pt, которая в зависимости от режимов изменяется от (0,28 ± 0,02) до (6,7 ± 0,5) нм/с. Отклонение латеральных размеров структур Pt от заданных шаблоном уменьшается от (29,3 ± 0,07) % до (2,4 ± 0,2) % в зависимости от времени осаждения. При толщинах наноразмерных структур Pt более 3 нм их удельное сопротивление составляет (23,4 ± 1,8) Ом∙см и слабо зависит от толщины. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур микроэлектронной сенсорики, наноэлектроники, нано- и микросистемной техники.

  • Просмотров: 1428 | Комментариев : 0

Представлены результаты исследования влияния технологических режимов локального анодного окисления (ЛАО) на процесс формирования оксидных наноразмерных структур (ОНС) на поверхности арсенида галлия. Исследовано влияние амплитуды и длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, уровня относительной влажности воздуха в технологической камере и амплитуды колебаний кантилевера на геометрические параметры ОНС арсенида галлия. Установлено, что увеличение уровня относительной влажности с 60 до 90% приводит к снижению порогового напряжения ЛАО с 7,0 до 6,0 В. Показано, что увеличение амплитуды колебания с 0,1 до 2,8 нм приводит к уменьшению высоты ОНС от 3,20 ± 0,34 до 1,10 ± 0,13 нм и диаметра ОНС от 218,4 ± 29,5 нм до 78,1 ± 10,3 нм.

  • Просмотров: 1308 | Комментариев : 0

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru