Представлены результаты исследования влияния технологических режимов локального анодного окисления (ЛАО) на процесс формирования оксидных наноразмерных структур (ОНС) на поверхности арсенида галлия. Исследовано влияние амплитуды и длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, уровня относительной влажности воздуха в технологической камере и амплитуды колебаний кантилевера на геометрические параметры ОНС арсенида галлия. Установлено, что увеличение уровня относительной влажности с 60 до 90% приводит к снижению порогового напряжения ЛАО с 7,0 до 6,0 В. Показано, что увеличение амплитуды колебания с 0,1 до 2,8 нм приводит к уменьшению высоты ОНС от 3,20 ± 0,34 до 1,10 ± 0,13 нм и диаметра ОНС от 218,4 ± 29,5 нм до 78,1 ± 10,3 нм.
Агеев Олег Алексеевич
Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета (г. Таганрог)