Персоналии
доктор технических наук, ведущий научный сотрудник НПК «Технологический центр» (г. Москва). Область научных интересов: физика и технология полупроводниковых приборов и ИС, СВЧ-структуры, методы самосовмещения, самоформирования и точной локализации элементов, псевдолитографические маски, принципы целенаправленного формо- и структурообразования.
Статьи автора
Приведены конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигнуто за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. Рассмотрены критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и c обращенным профилем легирования мышьяком на поверхности.
- Просмотров: 1456 | Комментариев : 0