Приведены конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигнуто за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. Рассмотрены критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и c обращенным профилем легирования мышьяком на поверхности.
1. Shi Y., Niu G. Vertical profile design and transit time analysis of nano-scale SiGe HBTs for terahertz fT // Proc. of the 2004 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits Technology Meeting. – 2004.– P.213 – 216.
2. Physical and electrical performance limits of high-speed SiGeC HBTs. Part I : Vertical scaling / M. Schroter, G. Wedel, B. Heinemann et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. – 2011. –Vol. 58, N.11. – P. 3687–3696.
3. Joodaki M., Hillmer H. A collector-up SiGe-HBT for high frequency application // Ger-man Microwave Conference (TH) (March 28–30, 2006). – Universität Karlsruhe, 2006.
4. Луканов Н.М. Способ изготовления транзисторных структур // А.с. №749287 СССР. – 1980.
5. Агафонцев В.Ф., Лапшинов О.Н., Луканов Н.М. Расчет диффузионного профиля мышьяка в кремнии // Полупроводниковые приборы и ИС: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. – М.: МИЭТ, 1976. – Вып. 27. – С. 15–22.
6. Ning Tak H., Cai J. On the performance and scaling of symmetric lateral bipolar transis-tors on SOI // IEEE J. of the Electron Devices Society. – 2013 –Vol. 1, N.1. – P. 21–27.
7. Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н. СВЧ самосовмещенные структуры с пря-мыми и обращенными ультратонкими эмиттерными областями // Изв. вузов. Электрони-ка. – 2013. – № 3(101). – С.21–27.
8. Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А. Н. Принципы конструирования биполярных СВЧ-структур с предельно узкими эмиттерными областями // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – 12(137). – С.13–16.
9. Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В. Оптимизация СВЧ само-совмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкопо-лосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Ч. 1–3 // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. – 2011.– Ч. 1. – № 1. – С. 78–84; Ч. 2. – № 2. – С. 20–27; Ч. 3. – № 3. – С. 11–20.
10. Галперин В.А. Использование методов экспериментального и численного моде-лирования для исследования процесса сухого травления канавок в кремнии // Изв. вузов. Электроника. – 2011.– № 3(89). – С. 26–34.
11. Голишников А.А., Костюков Д.А., Путря М.Г. Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной по-лимеризационной способностью // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №3(89). – С.14 – 19.
12. Луканов Н.М. Способ изготовления самосовмещающихся транзисторных структур с диэлектрической изоляцией // А.с. №1132734 СССР. – 1984.
13. Способ изготовления интегральных структур / Н.М. Луканов, В.Н. Вигдорович, А.В. Заводян и др. // А.с. №730203 СССР. – 1979.
14. Стекло для изоляции полупроводниковых приборов / В.З. Петрова, Т.Д. Чили-кина, Н.М. Луканов и др. // А.с. №617398 СССР. – 1978.
15. Способ изготовления интегральных структур с боковой диэлектрической изоля-цией / Н.М. Луканов, В.З. Петрова, Т.Д. Чиликина и др. // А.с. №708885 СССР. – 1979.