1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.3.049.77Микроэлектронные приборы и системыConstructive and Technological Schemes on the Basis of Completely Self-Combined Structures for Terahertz ULICКонструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцовых БИСВернер Виталий Дмитриевич ВернерВиталий Дмитриевич DmitrievichVerner VitaliyVerner Vitaliy DmitrievichЛуканов Николай Михайлович ЛукановНиколай Михайлович MikhaylovichLukanov NikolayLukanov Nikolay MikhaylovichСауров Александр Николаевич СауровАлександр Николаевич NikolaevichSaurov AleksandrSaurov Aleksandr NikolaevichНПК «Технологический центр» (г. Москва)Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия2330http://ivuz-e.ru/issues/1-_2015/konstruktivno_tekhnologicheskiy_bazis_na_osnove_polnostyu_samosovmeshchennykh_struktur_dlya_teragerts/http://ivuz-e.ru/download/1_2015_1995.pdf

The constructive and technological schemes of self-formation of completely self-combined vertically integrated transistor structures for ULIC have been presented. The exact positioning of the elements with nanometer sizes on a surface and at a certain depth of a silicon plate has been achieved due to the application of the self-conjugate pseudo lithographic composite masks. The critical places in the design and manufacturing techniques of the structures with the narrow and turned ultrathin emitter areas have been considered.

Приведены конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигнуто за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. Рассмотрены критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и c обращенным профилем легирования мышьяком на поверхности.

терагерцовые БИСконструктивно-технологические схемывертикально интегрированные транзисторные структурыобращенные ультратонкие и плоские эмиттерные областиобращенные профили легирования Asсамосопряженные псевдолитографические и составные маски Shi Y., Niu G. Vertical profile design and transit time analysis of nano-scale SiGe HBTs for terahertz fT // Proc. of the 2004 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits Technology Meeting. – 2004.– P.213 – 216.Physical and electrical performance limits of high-speed SiGeC HBTs. Part I : Vertical scaling / M. Schroter, G. Wedel, B. Heinemann et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. – 2011. –Vol. 58, N.11. – P. 3687–3696.Joodaki M., Hillmer H. A collector-up SiGe-HBT for high frequency application // Ger-man Microwave Conference (TH) (March 28–30, 2006). – Universität Karlsruhe, 2006.Луканов Н.М. Способ изготовления транзисторных структур // А.с. №749287 СССР. – 1980.Агафонцев В.Ф., Лапшинов О.Н., Луканов Н.М. Расчет диффузионного профиля мышьяка в кремнии // Полупроводниковые приборы и ИС: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. – М.: МИЭТ, 1976. – Вып. 27. – С. 15–22.Ning Tak H., Cai J. On the performance and scaling of symmetric lateral bipolar transis-tors on SOI // IEEE J. of the Electron Devices Society. – 2013 –Vol. 1, N.1. – P. 21–27.Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н. СВЧ самосовмещенные структуры с пря-мыми и обращенными ультратонкими эмиттерными областями // Изв. вузов. Электрони-ка. – 2013. – № 3(101). – С.21–27.Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А. Н. Принципы конструирования биполярных СВЧ-структур с предельно узкими эмиттерными областями // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – 12(137). – С.13–16.Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В. Оптимизация СВЧ само-совмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкопо-лосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Ч. 1–3 // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. – 2011.– Ч. 1. – № 1. – С. 78–84; Ч. 2. – № 2. – С. 20–27; Ч. 3. – № 3. – С. 11–20.Галперин В.А. Использование методов экспериментального и численного моде-лирования для исследования процесса сухого травления канавок в кремнии // Изв. вузов. Электроника. – 2011.– № 3(89). – С. 26–34.Голишников А.А., Костюков Д.А., Путря М.Г. Исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в парогазовой смеси с пониженной по-лимеризационной способностью // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №3(89). – С.14 – 19.Луканов Н.М. Способ изготовления самосовмещающихся транзисторных структур с диэлектрической изоляцией // А.с. №1132734 СССР. – 1984.Способ изготовления интегральных структур / Н.М. Луканов, В.Н. Вигдорович, А.В. Заводян и др. // А.с. №730203 СССР. – 1979.Стекло для изоляции полупроводниковых приборов / В.З. Петрова, Т.Д. Чили-кина, Н.М. Луканов и др. // А.с. №617398 СССР. – 1978.Способ изготовления интегральных структур с боковой диэлектрической изоля-цией / Н.М. Луканов, В.З. Петрова, Т.Д. Чиликина и др. // А.с. №708885 СССР. – 1979.