Персоналии

Проанализированы особенности современных комплементарных биполярных технологий ( СВ -технологий) для аналоговых применений. Рассмотрены основные тенденции их развития. На основе двух параметров качества комплементарности - добротности (β× V ) и параметра Джонсона ( BV × f ) - проведено сравнение различных индустриальных CB -технологий. Методом двумерного численного моделирования в среде TCAD Sentaurus для вертикальных n - p - n - и p - n - p -транзисторов исследована р -эпитаксиально-планарная CB -технология. Тщательная калибровка параметров технологических и электрофизических 2D-моделей на основе тестовых структур показала достаточную для практики точность использованной методики.

• Просмотров: 1576 | Комментариев : 0

В рамках термодинамической и диффузионно-дрейфовой моделей численным методом исследовано влияние температуры на электрофизические параметры комплементарной биполярной пары вертикальных транзисторов. Показано преимущество термодинамической модели, учитывающей при анализе мощных транзисторов эффекты, связанные с саморазогревом. Результаты моделирования сопоставлены с экспериментальными характеристиками тестовых структур. Сравнение показало, что для таких электрофизических параметров, как коэффициент усиления по току β и напряжение Эрли V , отличие не превышает 15 %, а для критического параметра напряжение пробоя коллектор-эмиттер V не превышает 2 %. Это является достаточным для применения термодинамической модели в практических целях.

• Просмотров: 1398 | Комментариев : 0