Проанализированы особенности современных комплементарных биполярных технологий ( СВ -технологий) для аналоговых применений. Рассмотрены основные тенденции их развития. На основе двух параметров качества комплементарности - добротности (β× V ) и параметра Джонсона ( BV × f ) - проведено сравнение различных индустриальных CB -технологий. Методом двумерного численного моделирования в среде TCAD Sentaurus для вертикальных n - p - n - и p - n - p -транзисторов исследована р -эпитаксиально-планарная CB -технология. Тщательная калибровка параметров технологических и электрофизических 2D-моделей на основе тестовых структур показала достаточную для практики точность использованной методики.
1. Савченко Е. М. Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности: автореф. дис. ... канд. техн. наук. – М., 2011. – 27 с.
2. Monticelli D. M. The future of complementary bipolar // Proc. of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology. – 2004. – P. 21–25.
3. Alvarez A. R. BiCMOS technology and applications. – 2nd Ed. – Springer Science, 1993. – 119 p.
4. A 40 volt silicon complementary bipolar technology for high-precision and high-frequency analog circuits / R. Bashir, J. De Santis, D. Chen et al. // Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting: Proc. of the 1994. – IEEE. – 1994. – С. 225–228.
5. A complementary bipolar technology family with a vertically integrated PNP for high-frequency analog applications / R. Bashir, F. Hebert, J. De Santis et al. // IEEE Tran. On Elec-tron Dev. – 2001. – Vol. ED-48. – N. 11. – P. 2525–2534.
6. Nakamura T., Nishizawa H. Recent progress in bipolar transistor technology // IEEE Transactions on Electron Devices. – 1995. – Vol. 42. – N. 3. – С. 390–398.
7. UHF-1: A very high speed complementary bipolar analog process on SOI / C. Davis, G. Bajor,
J. Butter et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1992. – P. 260–263.
8. XFCB: A high speed complementary bipolar process on bonded SOI / S. Feindt, J.-J. J. Hajjar, J. Lapham et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1992. – P. 264–267.
9. CBIC-V, A new very high speed complementary silicon bipolar IC process / A. Feygenson, J.W. Osenbach, W.L. Buchanan et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1989. – P. 173–177.
10. ACUTE: A high performance analog complementary poly-silicon emitter bipolar tech-nology / R.C. Jerome, I.R.C. Post, T.G. Travnicek et al. // SO1 Conference. – 1993. – P. 100–101.
11. A 12Volt, 12GHz complementary bipolar technology for high frequency analogue appli-cations / M.C. Wilson, S. Nigrin, S. Harrington et al. // Solid-State Device Research European Conference – ESSDERC, 2002.
12. http://www.vostok.nsk.su/ (дата обращения: 10.01.2016).
13. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В. Оптимизация комплементарного би-полярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. – 2009. – № 1. – С. 58–64.