1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.3.049.77Микроэлектронные приборы и системыAnalysis and Simulation of Silicon Vertical Complementary Bipolar TransistorsАнализ и моделирование кремниевых вертикальных комплементарных биполярных транзисторовХрапов Михаил Олегович ХраповМихаил Олегович OlegovichKhrapov MikhailKhrapov Mikhail OlegovichГридчин Виктор Алексеевич ГридчинВиктор Алексеевич AlekseevichGridchin ViktorGridchin Viktor AlekseevichКалинин Сергей Васильевич КалининСергей Васильевич VasilevichKalinin SergeyKalinin Sergey VasilevichНовосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия413420http://ivuz-e.ru/issues/5-_2016/analiz_i_modelirovanie_kremnievykh_vertikalnykh_komplementarnykh_bipolyarnykh_tranzistorov/http://ivuz-e.ru/download/5_2016_1530.pdf

The features of the state-of-the industry complementary bipolar ( CB ) technology for analog applications have been analyzed and the main trends of their development have been considered. Based on two parameters of the complementary quality - β× V (factor of quality) and BV × f (Johnson parameter) different industrial CB technologies have been compared. By the method of 2D - numerical simulation in TCAD Sentaurus medium for vertical NPN and PNP transistors the p-epitaxial-planar CB technology has been investigated. The quality calibration of the electrical and technological parameters of the 2D-models based on the data of the test structure has shown the adequate accuracy of simulation for practical use.

Проанализированы особенности современных комплементарных биполярных технологий ( СВ -технологий) для аналоговых применений. Рассмотрены основные тенденции их развития. На основе двух параметров качества комплементарности - добротности (β× V ) и параметра Джонсона ( BV × f ) - проведено сравнение различных индустриальных CB -технологий. Методом двумерного численного моделирования в среде TCAD Sentaurus для вертикальных n - p - n - и p - n - p -транзисторов исследована р -эпитаксиально-планарная CB -технология. Тщательная калибровка параметров технологических и электрофизических 2D-моделей на основе тестовых структур показала достаточную для практики точность использованной методики.

CB-технологиикремниевые комплементарные n-p-n- и p-n-p-транзисторыp-эпитаксия2D-моделированиеTCAD Sentaurus Савченко Е. М. Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности: автореф. дис. ... канд. техн. наук. – М., 2011. – 27 с.Monticelli D. M. The future of complementary bipolar // Proc. of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology. – 2004. – P. 21–25.Alvarez A. R. BiCMOS technology and applications. – 2nd Ed. – Springer Science, 1993. – 119 p.A 40 volt silicon complementary bipolar technology for high-precision and high-frequency analog circuits / R. Bashir, J. De Santis, D. Chen et al. // Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting: Proc. of the 1994. – IEEE. – 1994. – С. 225–228.A complementary bipolar technology family with a vertically integrated PNP for high-frequency analog applications / R. Bashir, F. Hebert, J. De Santis et al. // IEEE Tran. On Elec-tron Dev. – 2001. – Vol. ED-48. – N. 11. – P. 2525–2534.Nakamura T., Nishizawa H. Recent progress in bipolar transistor technology // IEEE Transactions on Electron Devices. – 1995. – Vol. 42. – N. 3. – С. 390–398.UHF-1: A very high speed complementary bipolar analog process on SOI / C. Davis, G. Bajor,J. Butter et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1992. – P. 260–263.XFCB: A high speed complementary bipolar process on bonded SOI / S. Feindt, J.-J. J. Hajjar, J. Lapham et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1992. – P. 264–267.CBIC-V, A new very high speed complementary silicon bipolar IC process / A. Feygenson, J.W. Osenbach, W.L. Buchanan et al. // Bipolar Circuits and Technology Meeting. – 1989. – P. 173–177.ACUTE: A high performance analog complementary poly-silicon emitter bipolar tech-nology / R.C. Jerome, I.R.C. Post, T.G. Travnicek et al. // SO1 Conference. – 1993. – P. 100–101.A 12Volt, 12GHz complementary bipolar technology for high frequency analogue appli-cations / M.C. Wilson, S. Nigrin, S. Harrington et al. // Solid-State Device Research European Conference – ESSDERC, 2002.http://www.vostok.nsk.su/ (дата обращения: 10.01.2016).Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В. Оптимизация комплементарного би-полярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. – 2009. – № 1. – С. 58–64.