Персоналии

Проведено тестирование встроенных в Sentaurus TCAD моделей электрофизических эффектов. Выбраны модели, обеспечивающие адекватное описание глубокосубмикронных МОПТ-структур с high- k диэлектриком затвора. Рассчитаны токи утечки 45-нм МОПТ-структуры с поликремниевым затвором и SiO, SiO/HfO, HfO диэлектриком затвора. Показано, что замена традиционного диэлектрика SiO на эквивалентный ему диэлектрик HfO на несколько порядков уменьшает ток утечки затвора за счет исключения влияния эффекта туннелирования. При этом пороговое напряжение, ток насыщения, подвижность носителей в канале, крутизна ВАХ деградируют в допустимых пределах 10-20%.

• Просмотров: 1415 | Комментариев : 0

Приведены описание макромодели BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов  и  процедура определения параметров макромодели.  Даны примеры её использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС.

• Просмотров: 1062 | Комментариев : 0

Представлены результаты трехмерного приборно-технологического моделирования радиационных токов утечки в частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ).

• Просмотров: 1272 | Комментариев : 0