Представлены результаты трехмерного приборно-технологического моделирования радиационных токов утечки в частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ).
Самбурский Лев Михайлович
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Москов-ский институт электроники и математики); Институт проблем проектирования в мик-роэлектронике РАН (г. Москва)
Харитонов Игорь Анатольевич
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики)